瑞萨车用MCU采用台积电28纳米工艺，Why？

瑞萨电子与台积电今日共同宣布，双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术，以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。采用此全新28纳米工艺技术生产的车用MCU预计于2017年提供样品，2020年开始量产。

瑞萨与台积电自90纳米技术时代便开始密切合作开发有片上闪存的MCU产品。为了使未来的环保汽车与自动驾驶汽车更节能且更可靠，双方在合作40纳米MCU平台并生产四年之后，扩大合作至28纳米MCU的开发。通过此次合作，瑞萨具备高可靠性及高速优势的MONOS eFlash技术，将结合台积电高性能、低功耗的28纳米high-k绝缘层+金属栅极（HKMG）工艺技术，生产全球顶尖的车用MCU产品，以支持广泛的应用，例如自动驾驶汽车的传感器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制、以及电动车的高效率电机变频器控制。

为了满足未来自动驾驶汽车对于高效能与安全性的严格要求，新一代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境，以实现高精度的感测功能，同时可整合多个传感器的数据，并且具备自动驾驶操作时所需的实时判断处理能力。能够安全控制自动驾驶功能的ECU亦需要新一代的MCU快速处理复杂的控制任务(包括失效稳定运行能力、安全性、以及对多个ECU之间协调控制的支持)，并提高整体系统的能源效率及功能安全性。

同时，为了符合更严格的排放法规，新一代环保汽车的引擎还需要强大的运算性能来控制新的燃油系统，它也需要强大且大容量的片上闪存来容纳更大的固件程序。由于市场对环保的要求越来越高，对电动车(EV)与充电式油电混合车(PHV)也要求具备更长的续航，这就要求MCU具备更高的运算效能及更高的功能集成，从而控制效率更高、体积更小的电机变频器。大容量闪存亦不可或缺，能够更精确地支持各国环境法规与标准，并得以通过空中传输(OTA)的方式无线更新控制程序。

此外，具备优异效能与绝佳安全性的MCU嵌入式闪存技术对于打造安全社会的新一代控制技术来说也是必须的，适用领域包括工业4.0等工业领域以及社会基础建设领域。

通过此项合作所开发的28纳米eFlash工艺技术，MCU的程序内存容量最高将可比目前的40纳米技术多出四倍以上，效能也将提升超过四倍，满足新一代车用运算的需求。此全新MCU产品的其他强化特点还包括了使用多CPU核、更先进的安全性，并且支持多种接口标准。

瑞萨执行副总裁大村隆司表示："汽车产业正经历重大转变，新一代的环保汽车及自动驾驶车即将问世，而创新的半导体技术是加速新一代汽车开发的重要关键。我相信通过与台积电针对新一代MCU的技术合作，未来将能够提供使客户安心的稳定供货。而我们也将致力于建构MCU的生态系统，并持续扮演好领导厂商的角色，协助推动MCU产业往前迈进。"

台积电业务开发副总经理金平中博士表示："与瑞萨合作履行了我们提供具有竞争力的技术为客户产品创造最大价值的承诺。借由台积电28纳米高性能且低能耗的技术，我们相信将能够展现优化的先进技术，以满足新一代汽车产品对创新的需求，并在效能与成本之间为客户取得极具竞争优势的地位。"