电子工程专辑伦敦报道--法国格勒诺布尔的一家半导体知识产权创业公司发布了为以电池供电的物联网（IoT）和可穿戴设备为目标市场的基于磁阻RAM（MRAM）的微控制器。
这家名为eVaderis的新创公司提供与CMOS兼容的基于非易失性存储器的IP产品，例如存储器模块，逻辑单元以及存储器和处理器子系统。该公司表示，该公司已成功展示了Beyond Semiconductor BA2x产品线中一款超低功耗MCU的全功能设计平台，包括软件，系统和存储器IP。
eVaderis公司副总裁兼技术与市场部门负责人Virgile Javerliac在接受EETimes采访时表示，这次流片式演示将展示eVaderis公司“在低功耗数字设备上的非易失性嵌入式IP设计和工艺流程的效益”。
“我们不是在开发MRAM技术本身，而是在开发基于MRAM技术的架构，”他说。
而MRAM生态系统中的其他人则提供“基于MRAM的自定义或模拟宏”，而JaVaLiIs则表示，eVaderis采取了“提供IP和MRAM编译器的数字方法”。该公司与GlobalFoundries建立了知识产权合作关系，计划将半导体制造商的基础知识产权授权给40纳米以下的芯片。
Beyond半导体公司首席执行官Matjaz Breskvar指出，该演示的目标是功耗，这对任何电池供电设备来说仍是一个关键的挑战。“自该公司成立以来，我们一直与eVaderis合作，共同实现电池供电，永远在线的设备，实现前所未有的节能效果。”
该公司表示，MCU采用了研发机构IMEC的垂直自旋转矩MRAM技术，实现了高速读/写和低电压的非易失性操作。该器件采用GlobalFoundries的40纳米低功耗CMOS工艺进行设计。
该架构提供3 Mbits的片上存储器，完全分布在系统中，用于工作存储器、配置、状态保持、代码执行和数据存储等功能。根据eVaderis，初创公司的内存IP架构对编译器友好，可帮助芯片制造商缩短上市时间。
由于MRAM使用磁性电荷来存储数据，所以当电源关闭时，它将保留数据，并且只需要少量的电力即可存储数据位。相比之下，SRAM和DRAM使用电荷来存储数据。由于MRAM使用磁场而不是电路来写入和存储数据，因此MRAM还需要比其他存储器存储系统更少的功率。
eVaderis嵌入式MRAM技术因此允许MCU在系统和软件级别实现功耗，性能和功能增益，包括节能，非易失性检查点设置或常开/瞬时开启操作，具有接近零延迟的启动，根据公司。
意法半导体（STMicroelectronics）的工程师和法国的替代能源和原子能委员会CEA于2014年成立了eVaderis。去年加入GlobalFoundries FDXcelerator合作伙伴计划，提供与GlobalFoundries的22FDX技术兼容的可扩展的先进存储器IP。
（文章编译：Mike Zhang）
