用GaN工艺挑战TI、NXP快充芯片霸主地位

台积电永远有一颗躁动的心，他不满足只做晶圆代工，而是要用自己的工艺优势去颠覆一些业界常态。这次他们看好快充电源管理IC市场潜力，协同合作夥伴Dialog半导体（Dialog Semiconductor），将于明年第1季推出首颗氮化镓（GaN）手机快充芯片，挑战快充芯片龙头德州仪器（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。

喧腾已久氮化镓工艺，台积电终于宣布跨入氮化镓先进工艺，为合作客户德商Dialog量身打造，采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化镓（GaN-On-Silicon）工艺技术，生产首颗氮化镓手机快充芯片，预计在明年第1季产出，该芯片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势，适用于手机及平板等行动快充，将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。

据悉，台积电在氮化镓领域布局已久，技术也相当成熟，不过，因客户考量成本及下游应用问题，对氮化镓工艺需求不高，还是以传统硅工艺为主，因此，台积电也仅能按兵不动、等待时机。如今手机快充应用逐渐浮上台面，手机芯片联发科及高通相继力推快充规格，展讯及海思也推出快充规格因应，而三星也推出支援Galaxy全系列智能手机的快充功能，苹果也将加入快充行列，快充市场逐渐成熟，台积电适时大展拳脚。

业界表示，采用氮化镓工艺生产芯片除可应用于手机快充，还可大幅缩减笔电外接电源供应器体积，未来应用于伺服器、车用及智能电网等市场商机庞大。因此，相关电源管理IC解决方案的国际芯片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早已备妥相关电源管理IC方案，推出芯片多以氮化镓工艺生产，此次，台积电与Dialog合作，除了挑战霸主地位，更展现台积电在氮化镓工艺成熟技术，向相关电源管理IC厂客户招手。

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