STT–RAM商用化在即，在32nm替代闪存令人质疑-电子工程专辑

 STT–RAM技术是众多想要获得下一代“通用”存储器技术称号的竞争技术之一。近日，新创企业Grandis公司任命Farhad Tabrizi为该公司的总裁兼CEO，掌帅该公司STT–RAM技术的商用化运作。Tabrizi曾是Lexar Media公司负责供应链管理和公司发展的副总裁，他接替了磁盘驱动器先驱，同时也是Grandis公司协创人William Almon的职位。不过，William Almon仍是这家新创的非易失性存储器公司的主要股东。

STT–RAM技术是众多想要获得下一代“通用”存储器技术称号的竞争技术之一。近日，新创企业Grandis公司任命Farhad Tabrizi为该公司的总裁兼CEO，掌帅该公司STT–RAM技术的商用化运作。Tabrizi曾是Lexar Media公司负责供应链管理和公司发展的副总裁，他接替了磁盘驱动器先驱，同时也是Grandis公司协创人William Almon的职位。不过，William Almon仍是这家新创的非易失性存储器公司的主要股东。

针对如何实现STT–RAM商用化，该公司制定了一整套发展计划，其中包括在STT-RAM所具备的能够写入数据的自旋矩传输(STT)方法的基础上，开发嵌入式器件和独立器件。该公司已经制定了明确的市场目标。“我们正在努力把该技术商用化，”Tabrizi指出，“我们认为该技术可以在32nm代替闪存。”

要达到这个宏伟的目标，Grandis将面临一些重大的挑战，但STT-RAM确实是一种很有前途且“颇具吸引力”的技术， Semico Research调研公司分析师Bob Merritt指出。

STT-RAM属于第二代MRAM技术，据说能够解决传统MRAM结构所存在的一些问题。

目前开发的大多数MRAM，都是通过使磁场改变磁化方向来写入数据，而磁场则是由流经隧道磁阻(TMR)元件附近导线的电流所产生的。Grandis公司认为，虽然这种方法可以实现快速操作，但功耗太大。

相反地，Grandis公司的STT方法使用一种极化旋转电流使磁位元翻转，该公司表示这种技术在降低功耗的同时可以增大容量。STT-RAM通过流经TMR元件的电子的旋转方向来写入数据。

“通用”存储器市场才刚刚拉开序幕，STT-RAM正是为数不多的几个试图在该市场取得主导地位的技术之一。正在开发下一代存储技术的几家公司都宣称，其各自的技术将结合DRAM的容量和成本优势、SRAM及各种MRAM变体的快速读写性能于一身。这些技术包括铁电RAM(FRAM)和相变存储器(PRAM)。

Grandis公司创立于2002年，已经从数家投资公司那里获得了总额为1,500万美元的资金。

图：MRAM与STT-RAM结构对比。