美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(Micron Technology, Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4Gb NAND闪存芯片捆绑在一起，构成强大的内存组合。这种捆绑的移动DRAM和NAND封装通常被称为多芯片封装(MCP)，能够为移动电话节省更多的空间，因而可以加入更多的功能或设计出更小巧的产品。

美光科技存储器事业部副总裁Brian Shirley说：“随着移动电话不断向呈现更丰富的内容，如音乐、图像和视频的方向发展，厂商迫切需要更紧凑的内存解决方案。”他说：“美光科技通过推出新的内存设计不断进行创新和实践，今天发布的新型1Gb移动DRAM内存芯片就是一个证明。把新的内存芯片和各种容量的NAND闪存芯片组合在一起，使我们在竞争中独树一帜，而且为客户的高密度数据存储应用提供了紧凑的内存解决方案。”

美光科技新的1Gb内存芯片采用78纳米工艺设计，是容量从64Mb到512Mb的移动DRAM产品家族的最新成员。美光科技的移动DRAM产品以公司独有的Endur-IC(TM)技术为特色，该技术利用先进的层叠工艺及一套独特的设计方法，能为无线和手持产品带来低功耗、高质量、高可靠性和更好的总体性能。

随着计算、移动和照相功能的融合不断促进令人兴奋的便携新产品的开发，美光科技为客户带来了满足设计要求的全面解决方案，包括移动DRAM、CellularRAM存储器、NAND闪存和DigitalClarity CMOS成像传感器。欲了解美光科技公司移动产品的更多信息，请访问： http://www.micron.com/applications/mobile/ 。

美光科技公司正于本周在西班牙巴塞罗纳举行的3GSM世界大会上展示自己的移动内存产品组合。美光科技将在第一厅1H21区自己的展位演示多种多样的成像传感器和移动内存产品。

美光科技将从本月开始向战略客户交付1Gb移动DRAM样品，批量生产预计将从第三季度开始。此外，美光科技将从2007年第二季度开始交付1Gb移动DRAM和1Gb NAND MCP样品，2007年夏天开始交付2Gb和4Gb NAND MCP样品。