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Dongbu力推130nm工艺CMOS图像传感器,摄像效果更佳

2006-09-21 阅读:
韩国Dongbu Electronics称已和Electronics & Telecom公司共同研发出一项先进的CMOS图像传感器(CIS) 130nm节点加工技术。预期将在第四季度开始采用新工艺对CMOS图像传感芯片进行量产。

韩国Dongbu Electronics称已和Electronics & Telecom公司共同研发出一项先进的CMOS图像传感器(CIS) 130nm节点加工技术。预期将在第四季度开始采用新工艺对CMOS图像传感芯片进行量产。

Dongbu声称,通过采用新晶圆加工工艺,CIS器件的像素可达1.3M,工作电压为1.5V。在130nm工艺下生产的CIS器件,其分辨率、灰度级和相对照度也得到增强。

“我们很早就意识到CIS器件拥有巨大的潜在市场,但却很少有公司致力于CIS加工工艺和图像质量的技术开发。”Dongbu战略事务开发部执行副总裁Jae Song表示,“我们在四年前就成立了CIS研发组,现在已经获得了20项国内外CIS专利, CIS现为我们的拳头产品之一”。

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