拼换机市场，麒麟950能否替华为找到答案？

OPTION_5:HP

在过去两年内国产智能手机大战，基本抢完了功能机换机的市场，和抓住3G智能手机换4G手机的需求，在出货量和市场占有率，都有了很大的成长。但随着今年智能手机市场逐步出现饱和，新一波的换机需求如何去引爆，成为华为、小米和其他国产手机厂商非常头痛的问题。

不记得自哪一次海思麒麟媒体沟通会起，华为fellow 艾伟都会以这样的自黑做开场白。其实，这种自黑的背后，更多的是一种胸有成竹的自信。

华为fellow 艾伟（海思芯片的负责人）在11月5日海思麒麟950媒体沟通会之前，跟电子工程专辑主分析师张迎辉私下聊天的时候，就不断地反问大家，怎么才能让消费者在换机上愿意花钱。“微创新消费者不会买账，5G通信早，现在是技术过剩，即使是我们出个10核的手机，别人也不一定觉得有必要。”艾伟开了个玩笑，“普遍二胎好，新增加人口是个好办法，可这是一二十年后的事。现在两年消费者不换机，手机芯片企业都活不下去了。”

当然，他这样说是将问题抛给我们，想听一听我们的反馈。PC产业为什么下滑，就是因为换机需求刺激不起来。英特尔都换了好几代处理器，微软也新出了好几代操作系统，我们家中的那台电脑，即使是安装的XP系统，也觉得还能用就别换了。PC/NB哪怕降价到了三两千块，也觉得没必要换机。

如何刺激用户换手机，这个问题肯定要从市场去找答案。

本文下一页：从零开始，从用户体验去找答案

{pagination}

从零开始，从用户体验去找答案

即使是海思自己说还面临很大挑战，但在中移动的终端质量报告中，麒麟已经处于很领先的排名。在中国有超过50%的4G+手机在使用麒麟芯片。

从1992年算起，海思做IC设计已经有23年的历史。这个没有从国家要过项目资金的IC设计公司，面对目前最严峻的手机芯片竞争的形势，又一次向市场和用户去寻找答案。“什么是用户最需要的东西？什么是用户很在意的东西？”艾伟在交流会上问现场的媒体和分析师。“是用户体验。屏幕刷起来卡不卡，热不热、续航时间长不长？手机的拍照好不好用？...这些是用户在意的东西，至于几个核，用什么核，这些用户可以不管，”艾伟给出了他的答案。比参数、跑个分，都是营销的噱头，用户的口碑，从苹果手机卖得好可以看出，跑分和参数都不是决定性因素。

为了解决卡不卡、手机热不热、续航时间和拍照等问题，海思的工程师，放弃了传感的测试仪器，而是用一个每秒10000桢的高速摄影机，来分析体验应用程序时，哪一个环节，造成了时间上的延迟。在得到数据后，来找解决方案。

海思麒麟950在三个关键点来解决：

一是启动速度。从触摸屏的TP 插件开始，到CPU的调度、以及显示合成至LCD刷新，三方面详细分析解决启动速度。二是解决用户操作响应，将响应时间卫通至100毫秒；三是将一般工作状态下的滑动帧率提升至每秒60帧，看上去更顺畅。

减少等待，从150毫秒降至100毫秒，希望用户能够感受得到。

不累计过多热量，避免因热保护触发性能下调所导致的卡顿，保障流畅的用户体验

麒麟950目的是要手机带到iPhone 6s的流畅体验级别

本文下一页：真正的行业领先：麒麟950采用16纳米FF+工艺！

{pagination}

真正的行业领先：麒麟950采用16纳米FF+工艺！

现在手机处理器的主频上去了，并且还都是多核处理器，按道理不应该卡机。但现实中出现的卡顿，主要是由于处理器内部的发热造成。“暗硅陷阱”是因为处理器温度太高会自我保护，内核暂停运行。事实上，这种太热的情况，往往是用户使用的程序，正好需要高频运作。这时候出现的卡顿，会给用户造成很不好的体验。

艾伟在谈到暗硅陷阱时，已经有不少同行躺qiang。海思与TSMC等半导体前端伙伴，一起解决了这个暗硅陷阱，答案就是TSMC的16纳米FinFET+工艺。

在上一代海思930采用了28纳工艺。在950面前，其实有20纳米和16纳米两种工艺的选择。但TSMC的16FF+在性能与功耗上同时都具有优势。

剧情紧凑需要，海思麒麟950 采用16FF+过程的细节如下：

以说书的语言总结一下就是：麒麟950成为了首款16FF+工艺的首款商用手机SoC。性能提升40%，功耗降低了60%。

作为一颗本土芯片公司研发的芯片，有这么重要的地位，并且还会有这样的数据，可以打动一部分换机用户了。（嫌手机还发烧的用户，不妨等华为Mate 8出来后去验证一下）

本文下一页：麒麟950的硬件参数

{pagination}

麒麟950的硬件参数：

此处说一下麒麟950的参数：四核A72、四核A53、GPU MaliT880。

A72与A57相比的优势是全面的。

与930相比，Mali T880的提升达到了100%。这是不是说以后玩大型游戏会更顺畅了？

第3代的Sensor hub技术，增加了融合运算，具备FPU和Cache，FLP功耗从90mA降至6.5mA。据说以后手机整天开着GPS、计步APP什么的，完全不用担心功耗，因为基本上不会启用CPU。即使是手机处于睡眠模式，i5仍然可以持续收集来自各种传感器的数据信息。

第3代的Sensor Hub，最明显的应用还是会在GPS上。当然，这个功能还需要与外部的GPS芯片搭配使用。新一代的融合定位机制FLP（Fused Location Provider)，可实现GPS、基站、WIFI、Sendor混合定位，在室内、高架桥、高楼城区都能提供精准定位，大幅提升GPS体验。手机导航胜过汽车导航，没有任何问题。

关于参数，总结一下就是性能又提升了，功耗也不会出问题。采用950的Mate 8，能够在3500mAh的电池容量下使用2天，用户会不会换新机？（先暂不提价格）

本文下一页：再谈照相体验：收购法国公司的成果

{pagination}

再谈照相体验：收购法国公司的成果

坦白讲，相比同行的旗舰机，华为照相体验确实不算领先。过去一直在搭配第三方独立的ISP，原因是海思还没有做出ISP。但事实上，海思为了自己的ISP已经在两三年前就海外布局了。

2013年华为在法国尼斯建立图像技术研究中心，专为海思芯片提供ISP技术。在麒麟950上集成了双ISP，通过14位采样技术（之前是12位采样），将采吞吐率提升至了960MPixel/s，性能提升了4倍。而在其他方面，同样做了优化，可以说是重新设计了麒麟芯片的Camera系统。

至于效果如何，见下图：

本文下一页：支持VoLTE，优化通话声音

{pagination}

支持VoLTE，优化通话声音

把这一条麒麟的优势放到了后面来写，虽然艾伟在演讲时把它放在第一点。我觉得语音的体验想再提升太多，可能会比较难。即使是将语音带宽和采样率提升一倍，还会需要电话使用者，在听声音方面是否会集中自己的注意力。

毕竟听电话不是欣赏音乐那样注重音质，更何况纯的人声，不会有音乐那么丰富，那么多频率。

上面这张图，也说明了我本人判断的正确性：语音基本上止于1.2kHz。事实上对更高频率的语音的采样，例如很尖锐的话音或是小孩哭闹声，反而有可能让受话者不舒服。

但是VoLTE的其他卖点，例如呼叫时延大幅变短，视频通话质量提升，以及语音、视频、上网同时进行，麒麟芯片全系列VoLTE Ready是更加可以有说服力的卖点。

本文下一页：回顾总结

{pagination}

回顾总结：

除了四核A72（2.3GHz)+4核A53 (1.8GHz)，Mali T880 900MHz的CPU+GPU组合外，它还有i5麒麟第三代智能感知处理器，频段扩展到了450MHz至3.5GHz，5模LTE CAT-6基带，可以助力手机更广泛地全球漫游。

支持HiFi Audio DSP（不是HiFi手机），同时支持LPDDR3/4，可以避免市场的内存芯片的缺货以，当然也可在终端将手机定位分开。

麒麟950芯片现场展示

满足一下好奇心，概念机在安兔兔上跑分81172！

为什么不用CAT-12、CAT0-13？市场原因。一是海思前两天发布了Balong 750基带，在全球支持Cat 12/13(UL)，实现下行600Mbps和上行150Mbps的高速率。（请点击这里查看《MBB大会上Balong 750登场，TD-LTE速率提升至600M》）但这是针对海外市场用户的要求。国内则要等运营商的布置，在做载波聚合和Cat-12现在在做测试，布网会在2016年开始，商用也要等到2017年，所以应该是麒麟960、970的事。消费者应该要清楚这一点。

沟通会问答环节，华为Fellow 艾伟先生、华为终端有限公司手机产品线副总裁李小龙、TSMC业务开发处资深处长尉济时博士（从左至右）回答了媒体和分析师的提问。

华为终端有限公司手机产品线副总裁李小龙表示，采用麒麟950的华为手机即将于本月内上市。他透露，采用麒麟芯片的荣耀4S，单机型出货量破千万，目前麒麟芯片手机用户已经累计超过了5000万。从数据可以看得出，麒麟芯片，已经成为华为手机在中国市场领先的重要杀手锏。“目前国内手机市场增长出现停滞，甚至是下滑，对3G手机和低端手机的影响较大。而华为主要提供4G手机，对我们的影响不大。目前我们的挑战是如何激发换机的需求，我们看好中高端手机用户的换机需求。”

在回应华为手机是追求利润还是市场占有率时，李小龙的回应也很有深意。“华为手机会合理定价，让尽量多的消费者用我们的产品。”本人的理解是，华为还是会上赶三星、甚至是苹果，下面也要继续对付小米和其他国产手机。

本次沟通会上，来自TSMC的业务开发处资深处长尉济时博士也表示，海思是TSMC长期的客户，会在产能上给予充足的保障。尉济时透露，目前TSMC的16FF+工艺已经有30个客户做Tape out，年底将达到40家客户。他也向电子工程专辑确认了TSMC在做16纳米FinFET的工艺，不会参与到FD-SOI 工艺路线中去。

本文为《电子工程专辑》原创，版权所有，谢绝转载