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是时候该跟平凡无奇的NOR闪存说再见了？美光科技(Micron)最近发布最新XTRMFlash系列产品，号称速度可达到3.2Gb/s，而且与目前市面上的串行式NOR闪存接脚兼容。
美光嵌入式业务部门NOR闪存产品总监Richard De Caro表示：“并列式闪存的时代已经结束了，美光新推出的XTRMFlash将可在接下来取代目前市面上的并列式与串行式内存──也许除了一些低密度应用。”美光将为新产品推出容量从128Mb~2Gb的产品，目前第一波512Mb的产品已可提供样品。
美光已经取得了包括飞思卡尔半导体(Freescale)在内数家大型芯片供应商的背书；XTRMFlash新产品的问世也正与研究机构Databeans最新预测相 符──该机构预期，车用半导体营收规模将由今年的285亿美元扩展至2020年的400亿美元，其中有大部分应用是取决于NOR闪存，包括GPS、 卫星无线电、车辆对车辆通讯以及车用资通讯娱乐系统。
根据De Caro的说法，XTRMFlash的性能超越并列式、串行式以及Quad-SPI等类NOR闪存，其接脚数比目前的并列式NOR闪存减少 75%；此外该技术的随机访问时间最快83纳秒(nanoseconds)、循序字节读取(sequential byte read)最快2.5纳秒，传输速度400MB/s (高于并列与串行闪存)。
XTRMFlash也能与目前串行式快闪内存采用的Quad SPI接脚兼容，只需小幅改变电路板设计就能达到上述的性能规格。美光表示最近已经在一些热门的汽车、工业与消费性领域“永不关机”应用，测试其 XTRMFlash内存，能为人机界面、图形用户界面(GUI)、仪器仪表、车用资通讯系统与先进驾驶人辅助系统(ADAS)带来及时性的成功。
编译：Judith Cheng
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