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IIC 2015:Kilopass为物联网安全保驾护航

2015-09-07 Kevin Cheng 阅读:
在物联网应用中,功耗和安全性是工程师在设计其产品时需要考虑问题,因为用户希望他的设备可以持续工作更长时间,也希望它能抵御侵入式和非侵入式篡改,以及远程攻击。而要想满足更低的功耗,更好的安全性需求的话,一个更好的存储器系统架构是一个很好的选择。

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在物联网应用中,功耗和安全性是工程师在设计其产品时需要考虑问题,因为用户希望他的设备可以持续工作更长时间,也希望它能抵御侵入式和非侵入式篡改,以及远程攻击。而要想满足更低的功耗,更好的安全性需求的话,一个更好的存储器系统架构是一个很好的选择。

在IIC China 2015展会上,专注于嵌入式非易失性存储器(NVM) IP领导厂商Kilopass带来了其颇具竞争力的OTP NVM解决方案。据其亚太区销售总监Vivien Linh介绍,目前Kilopass的OTP NVN解决方案已经被全球170多个客户采用,被广泛应用于汽车、移动设备、模拟与混合信息以及物联网芯片设计中。相比eFlash,Kilopass具有保密性更好、功耗更低、成本更低的优点。

IIC 2015:用这颗芯片可以提前发现癌症(电子工程专辑)
图:Kilopass在IIC China 2015上的展台。

她特别指出,Kilopass的OTP NVM IP解决方案采用的是标准的CMOS工艺,目前已经可以做到10nm了。其大容量存储IP——Gusto-2的最大代码存储容量已经达到了1Mbit,内存带宽为400MB/s,待机功耗为10μA。她说,“最初,Gusto-2采用65nm/55nm工艺,不过现在可以支持28nm的工艺了。”

Vivien Linh还介绍了Kilopass专有的反熔丝方案, Kilopass公司开发的一种反熔丝位单元有两个NMOS晶体管:一个用于编程;另一个串联耦合晶体管用于选择。给编程晶体管施加电压,将使其栅极绝缘击穿。该击穿在晶体管的栅极和沟道间生成连接。因此,高阻的栅极绝缘变成低阻硅连接:将单元状态从零“0”变为“1”。

编程反熔丝位单元会在栅极氧化物内一小部分位置不定的区域引发物理性能变异。因通过电流感应来确定一个位是初始“0”还是编程“1”,从而使位单元不那么易受低成本、非侵入式(电压施扰和数据残留)及半侵入式(UV攻击、故障注入、电压对比)攻击的伤害。此外,因为没有确定的方式来定位和查看氧化层击穿,使得存储器的内容可抵御物理攻击(反工艺处理和FIB检查)。

她说,这是反熔丝存储器技术被广泛用于加密密钥存储的原因之一。目前很多的蓝牙代码存储都是采用的Kilopass的解决方案。

当然,还有很多需要更高集成度、更高密度、更高安全性和更低功耗的一些嵌入式应用采用Kilopass的方案,她最后指出。

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