GF全球首发22nm FD-SOI工艺，优势劣势都告诉你

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GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为这个技术先天优势很多，但是缺点非常致命——FD-SOI专用基板全世界只有很少几家能做，每年产量连体硅的十分之一都不到。一旦基板供应不足，那可不是开玩笑的，也就只能做做物联网等超小die的微型芯片。

无论Intel还是三星、台积电，22nm时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries和三星也不能把所有筹码压在这个技术上，但GF技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。

尽管如此，GF 22nm FD-SOI工艺也是有一些独特优势的，虽然无法制造高性能芯片，但也很适合移动计算、IoT物联网、射频联网、网络基础架构等领域。（编按：从AMD分出去的公司 继承了AMD的光荣传统——太诚实太有自知之明了，这工艺的弱点和最适合的产品居然全写出来了……）

GlobalFoundries 宣称，该工艺功耗比28nm HKMG降低了70％，芯片面积比28nm Bulk缩小了20％，光刻层比FinFET工艺减少接近50％，芯片成本比16/14nm低了20％，而且功耗超低，电压可以做到业界最低的0.4V， 并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50％。

甚至，它可以提供类似FinFET工艺的性能。

有人提出疑问，该工艺是否会与台积电较低成本的16FFC（0.55V）直接对抗，因为16FFC同样适合物联网芯片、中低端手机SOC等，也是明年下半年正式用于量产。答案是FD-SOI可以做RF这类模拟芯片，而14/16 FF类只能做数字电路，并且价格上会比FD-SOI贵。

GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产，为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持，将会采纳。

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