瑞萨新增12款旗舰SRAM产品

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全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社，日前推出了12款新产品版本的旗舰SRAM（静态随机存取存储器）产品， 这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E 系列先进低功耗SRAM（先进LP SRAM）。新推出的存储器设备拥有高达4兆位（Mb）的密度，并采用极为精密的110 纳米（nm）线宽制造工艺。

即将上市的SRAM是高级LPSRAM的新系列，可提供和瑞萨电子现有150nm工艺的SRAM产品完全相同的可靠性，包括消除软错误和闩锁效应。新产品的待机电流在25℃时可保证不超过2 微安（μA），这一低功耗工作特性使其适用于有备用电池供电设备的数据存储。

瑞萨电子的低功耗SRAM已被广泛应用于多个领域，其中包括工业、办公、通信、汽车及消费品等等。公司在2012年占据同类产品市场份额第一位。近期，随着用户系统性能和功能的逐步提高，SRAM已成为了提高整体系统可靠性的关键因素之一。特别是用于存储系统程序和计费数据等重要信息的SRAM，其必须能够保证极高水平的可靠性，因此，如何减少因阿尔法辐射和宇宙中子辐射造成的软错误成为了此类产品的首要关注点。

瑞萨电子的先进LP SRAM采用了独特的结构，其存储单元内的每个存储节点均拥有附加的物理电容，因此具有极高的抗软错误能力。通常情况下，出现软错误后的处理方式是在 SRAM或用户系统中加入内部纠错（ECC）电路。但此方法具有一定的局限性，ECC可能无法应对多个位元的错误。相比之下，先进的LP SRAM采用结构化措施从根本上预防软错误出现。根据对目前量产的150纳米先进LP SRAM中系统软错误的评估结果，在实际环境下，此类产品堪称不存在软错误。

此外，SRAM单元负载晶体管（P沟道）为多晶硅TFT，堆叠于硅衬底的N沟道MOS晶体管之上。因此，在硅衬底下方仅形成N沟道晶体管。这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管，并从理论上杜绝闩锁效应。

这些特性使得先进LP SRAM相比使用传统存储单元结构的全CMOS型产品可实现更高水平的可靠性。针对工厂自动化设备、测量设备、智能电网设备和运输系统等需要严格保证高水平可靠性的应用环境，先进LP SRAM 可实现更优秀的性能和可靠性。

此外，先进LP SRAM结合了SRAM多晶硅TFT堆叠技术和堆叠电容技术，可有效减少存储单元体积。例如，110纳米的先进LP SRAM的单元体积相当于使用65纳米工艺制造的全CMOS SRAM。

瑞萨电子还计划进一步扩充 110纳米SRAM的产品阵营，加入8 Mb和64 Mb的110纳米产品。

定价和供货

瑞萨电子新款SRAM的样品将于2013年11月发布，样品定价为7美元。大规模生产预计将于2013年12月启动。（定价和产品提供情况可能发生变化，恕不另行通知。）