罗姆确立了世界首家"全SiC"功率模块的量产体制

近年来，在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。 根据估算，将传统的Si半导体全部替换为SiC后的节能效果，仅在日本国内就相当于4座核电站的发电量，因此，各公司都已强化了相关研究开发。在这种背景下，罗姆于2010年在世界上率先成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，在行业中遥遥领先。 与此同时，关于"全SiC"模块，即所内置的功率元件全部将Si替换为SiC，多年来，虽然全世界的制造商多方试制，但在可靠性上存在诸多课题，一直无法实现量产。

"全SiC"功率模块

针对SiC制备过程中特有的1700oC高温工序，为了防止其发生特性劣化，罗姆开发了控制技术，于世界首家确立了"全SiC"功率模块的量产体制。 内置最先进的SiC-SBD和SiC－MOSFET两种元件，与传统的Si-IGBT模块相比，可以将电力转换时的损耗降低85%。另外，与IGBT模块相比，在10倍于其的频率---100kHz以上的高频环境下工作成为可能。该产品的额定电流为100A，通过高速开关和低损耗化，可以与额定电流为200~400A的Si-IGBT模块进行替换。 不仅如此，通过设计和工艺的改善，罗姆还成功开发出散热性卓越的模块。替换传统的400A级别的Si-IGBT模块时，体积可减小约50%。由于损耗低，因此发热少，可减小外置的冷却装置体积，从而非常有助于设备整体的小型化。

此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力转换的变频器、转换器上，与普通的Si(硅)材质的IGBT模块相比，具备以下优势，有效解决世界能源和资源等地球环境问题。

●开关损耗降低85%

●与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50%

●损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化.

为帮助工程师和用户更好的了解ROHM的产品和应用解决方案，2012年9月，ROHM将隆重推出首届“全国三城市科技巡展”。此次活动以“电子科技-罗姆对智能生活的贡献”为主题，罗姆将围绕“LED照明”、“传感器”、“功率元器件”解决方案三个主题发表演讲。