2025中国IC设计成就奖 / 兆易创新科技集团股份有限公司 / GD25LF512MF SPI NOR Flash
兆易创新科技集团股份有限公司
GigaDevice Semiconductor Inc.
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GD25LF512MF SPI NOR Flash
成功入围,正在参加评选 2025中国IC设计成就奖 - 存储器
GD25LF512MF 是电压为1.8V,容量为512Mb的高可靠SPI NOR Flash,最高时钟频率STR达到166MHz,DTR达到104MHz,数据吞吐率高达104MB/s,DQS和DLP功能为高速系统设计提供了保障,以满足高效率的代码数据读取需求。GD25LF512MF具备高安全性、高可靠性的特点,支持高级密钥保护读写数据,为数据的安全性提供了有效的防护盾;内置ECC算法与CRC校验功能,提高了产品可靠性,与此同时,启动时的安全自检功能在高可靠保证的同时又提升了产品的功能安全性。 GD25LF512MF主要面向需要大容量存储、高可靠性、高安全性与高速数据吞吐量的工业、车载、计算机以及网通等相关应用领域。

 1.8V 512Mb SPI NOR Flash
 支持单通道、双通道、四通道SPI及四通道DTR指令集
 STR 166MHz,DTR 104MHz,数据吞吐率高达104MB/s
 支持DQS和DLP功能,有助于高速系统优化设计
 支持先进的密码保护功能
 支持ECC和CRC功能,提高产品可靠性和高速I/O信号准确性
 支持安全启动自检
 支持SOP16 300mil、WSON8 8x6mm、TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)等封装形式
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。