2025中国IC设计成就奖 / 普冉半导体(上海)股份有限公司 / 超低电压超低功耗Flash存储芯片P25Q32SN系列
普冉半导体(上海)股份有限公司
Puya Semiconductor(Shanghai)Co., Ltd.
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超低电压超低功耗Flash存储芯片P25Q32SN系列
成功入围,正在参加评选 2025中国IC设计成就奖 - 存储器
1.1V 6.5uW/Mbit新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。

- 支持1.1V电源系统,为业界最低,具备宽电压范围1.05V~2.00V,可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统;
- 采用业界创新工艺和领先制程的40nm SONOS工艺;
- 目前行业最低功耗,1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW,80M DTR 4IO读取功率约4.2mW;
- 快速读取:416Mbps (STR 4IO);640Mbps (DTR 4IO);
- 同时支持SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP 等多种封装形式以及 KGD for SiP;
- 基于极低功耗,为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助,助力元宇宙的国产生态链完善;

出货总量(截止到2024年4月,可以是仅到量级的概数): 11KK+
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