该驱动芯片用于驱动半桥、全桥、同步降压、同步升压、推挽、双开关前馈和有源钳位前馈转换器中的N-Channel MOSFET, 高低侧各自拥有独立的输入, 提供最大的输入控制信号灵活性
-支持高达120V DC的自举供电电压和1MHz的开关频率, 适用于高频率应用。输入引脚可承受-10V至20V的电压, 提高了对来自门变压器和/或长路由迹线寄生电感的振铃的鲁棒性
-5ns的上升时间和4ns的下降时间, 与1000-pF负载兼容, 使得驱动芯片能快速驱动MOSFET
-具有2kV HBM和2kV CDM的ESD, 提供了优秀的负电压处理能力
-1ns的典型传播延迟匹配, 有助于减少系统级的误差
-为高低侧的驱动器提供提供对称的欠压锁定保护
-提供4x4 DFN-8、4x4 DFN-10和ESOP-8封装, 增加了设计的灵活性
-有着-40到140oC的款温度范围, 适用于广泛的应用环境
总体来说, 该芯片具有高电压、高峰值电流、高频率操作能力、快速传播延迟及优秀的ESD保护等特点, 尤其适用于需要高可靠性和高性能的电力电子应用, 加上产品在成本端的优化, 使其具有明显的市场竞争优势。目前产品实现初步量产导入,销量超280万。