2025中国IC设计成就奖 / 深圳市虹茂半导体有限公司 / 耐高压/带OVP 单节锂电充电IC–HM4056HA(ESOP8/SOT23-5/SOT23-6/DFN2X2-6L)
深圳市虹茂半导体有限公司
SHENZHEN HONGMAO SEMICON CO.,LTD
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耐高压/带OVP 单节锂电充电IC–HM4056HA(ESOP8/SOT23-5/SOT23-6/DFN2X2-6L)
成功入围,正在参加评选 2025中国IC设计成就奖 - 电源管理 IC
技术特点:最大充电电流可达0.8A可调,双灯指示功能,工作电压4.5V-6.5V,耐压28V,输入6.5V以上会启动过压保护,充满电压4.2V,1%的精度,输入3.64V欠压保护,芯片过温自动降低充电电流,工作温度范围:-40℃ to +85℃,ESD(HBM)2KV
设计特色:双灯指示功能,过压保护,芯片过温自动降低充电电流
应用优势:可以用于耐高压充电应用场合
销量业绩:500-1000万/年
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。