INV100EQ030C 是英诺赛科推出的100V /3.2mΩ双向导通器件，采用与FCQFN兼容引脚设计的Topside cooling封装，能够满足客户端应用多样化和更高的散热需求，实现电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域的高效应用。
其优势在于，一颗VGaN（INV100EQ030C）可替代两颗背靠背Si MOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，降低损耗。VGaN系列产品采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；在极限工况短路时，测试能力更强；在实际应用中能够大幅减少器件数量，缩小占板面积，降低整体系统成本。