2025中国IC设计成就奖 / 深圳辰达半导体有限公司 / 碳化硅MCRK2101700SG3
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碳化硅MCRK2101700SG3
成功入围，正在参加评选 2025中国IC设计成就奖 - 功率器件/宽禁带器件
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集成SIC碳化硅材料的MCRK2101700SG3，具有更高的击穿电压，能够承受更高的电压而不发生击穿，这有利于制作高压器件。具备更高的电子迁移率和更宽的带隙，同时具备低导通损耗与高的开关频率，使电子产品能有效散热、提高器件的稳定性和可靠性。
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