2025中国IC设计成就奖 / 深圳安森德半导体有限公司 / 高频100V SGT MOSFET(ASS6100N10MA1)–ASDM100R045NQ
深圳安森德半导体有限公司
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高频100V SGT MOSFET(ASS6100N10MA1)–ASDM100R045NQ
成功入围,正在参加评选 2025中国IC设计成就奖 - 功率器件/宽禁带器件
该产品技术特点:采用SGT工艺设计,低导通电阻(Rds (on)),开关速度,结电容小,耐压能力高等特点;设计特色:小型化封装设计,集成度高;应用优势:在电源转换中的效率提升,开关效率高,适用于多种复杂的工作环境;销量业绩:随着电子设备的不断发展和对电源效率要求的提高,同步整流 MOS 产品的销量呈现持续增长的趋势。在消费电子领域,如智能手机和平板电脑市场,由于产品出货量巨大,同步整流 MOS 作为电源管理芯片的重要组成部分,每年的销售量数以亿计。以某知名半导体厂商为例,其同步整流 MOS 产品在智能手机市场的占有率逐年上升,过去五年内,该产品在这一领域的销量增长了超过 300%。在工业和新能源领域,随着智能制造的推进和新能源汽车市场的爆发式增长,同步整流 MOS 的销量也在快速增长。例如,在新能源汽车领域,根据市场研究机构的数据,预计未来几年同步整流 MOS 产品的年复合增长率将超过 20%,这主要得益于新能源汽车产量的不断攀升和车载电子设备对高效电源管理的需求。
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。