一、30NM90L-Q TO-247是一款30A, 900V N沟道的SUPER-JUNCTION MOSFET，目前在超高压超结MOS领域国产品牌第一；
采用目前行业领先的技术设计优势：
1、采用基于电荷平衡的多层外延结构技术，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，更利于提高系统效率。
2、采用带有超快速恢复体二极管技术，在标准制程上增加了离子扩散过程，整个体二极管的性能得以提升，减少了反向恢复时间Trr和反向恢复电荷Qrr，并极大的改善了dv/dt。

二、应用领域方案：3000～5000W的AI服务器电源、户外工业LED电源、植物照明LED电源、LLC电源等；
技术优势：
1、超强的电流抗冲击能力，能承受额定电流（30A）大一倍的电流冲击能力（60A）；
2、超高耐压：目前国产品牌最高电压不超过900V，该款产品能承受超过900V的耐压；
3、超低的导通内阻RDS(ON)，极大降低了MOS管导通和关断损耗，有效的降低了电源的工作温度，大大的提升了电源的可靠性和效率；
4、内置超快速体二极管，极低的Trr值（反向恢复时间），可以大大的降低关断损耗，提升电源的整机效率，能让整机效率提升到3%以上；
5、开关频率高达120KHZ，有效的减小电源的体积，降低电源的成本。