VSK004N15HS-G为增强型N沟道MOSFET，采用TOLL封装，VDS（漏极-源极电压）达150V，能够满足多种中低压应用场景的需求，其具有低导通电阻（Rds(ON)：3.9mΩ）、优异电气性能、低开关损耗、宽工作温度范围和易驱动等特性，得益于以上特性有效减少开关损耗，提升应用系统效率。该型号已经过严格的测试筛选，具有高可靠性高一致性，适用于各种恶劣的电气和环境条件，拥有详细的技术文档、数据手册和应用指南，可帮助客户快速应用和优化电路设计。VSK004N15HS-G广泛应用于消费电子、工业控制、光伏储能、电源管理和电机驱动等领域。