2025中国IC设计成就奖 / 深圳市虹美功率半导体有限公司 / 储能 SGT MOS–HMS330N10/D/LL（TO-220/TO-263/TOLL-8L）
深圳市虹美功率半导体有限公司
SHENZHEN HONGMEI POWER SEMICONDUCTOR CO.,LTD
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储能 SGT MOS–HMS330N10/D/LL（TO-220/TO-263/TOLL-8L）
成功入围，正在参加评选 2025中国IC设计成就奖 - 功率器件/宽禁带器件
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虹美功率：HMS330N10/D/LL（TO-220/TO-263/TOLL-8L）
技术特点：N沟道，330A，耐100V，超级沟槽工艺，内阻更低，结电容低，开关损耗低，响应速度快
设计特色：有做VTH分档测试
应用优势：可以用于储能/户外电源等产品并联应用
销量业绩：500-1000万元/年
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