由碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 制成的宽带隙 (WBG) 功率半导体越来越多地应用于风力涡轮机、光伏 (PV) 逆变器、电动汽车 (EV) 牵引逆变器和 EV 快速充电器等应用。虽然这些新半导体提高了这些应用的功率密度，但它们在散热方面存在困难，因为功率损耗密度也在增加，而芯片尺寸却在减小。
TDK的新型智能氮化铝 (AlN) 多层基板在功率密度、可靠性和紧凑尺寸方面突破了这些宽带隙半导体的界限。它是实现更高效的电动汽车、更轻更紧凑的 PV 逆变器或在现有占地面积内显着提高输出功率的关键。TDK为所有高功率应用开发和定制特定的 AlN 封装和基板。它是智能多层基板的解决方案提供商，将设计带入批量生产。一切都来自单一来源，在欧洲制造。按照最高行业标准进行测试、验证和批准。