英飞凌的FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1功率模块采用新开发的3.3kV CoolSiC™ MOSFET和英飞凌的.XT互连技术，封装为XHP™ 2。一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块；二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ（25℃条件下），标称电流750A的模块， 专为牵引等要求苛刻的应用而设计。
列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。英飞凌3.3kV CoolSiC™ MOSFET的新型碳化硅产品，凭借低开关损耗和更高的开关频率，具备高功率密度、高可靠性和高质量的特性，对于未来的列车极其重要。
除了需要高效、可靠的碳化硅（SiC）芯片之外，牵引驱动器的功率模块还需要适合高速开关的封装，延长器件使用寿命的互连技术。英飞凌的新型功率模块具备以下特性：英飞凌XHP 2封装中带有集成体二极管的CoolSiC™ MOSFET芯片能够实现低开关损耗，同时保持高可靠性和功率密度。
XHP 2封装还具备低杂散电感、对称且可扩展的设计以及大电流等特性。FF2000UXTR33T2M1模块的漏源导通电阻为2.0mΩ，而 FF2600UXTR33T2M1模块的漏源导通电阻为 2.6mΩ。尽管列车运行有严格的运行要求，但英飞凌的 .XT 互连技术提高了功率循环能力。
与传统解决方案相比，英飞凌的CoolSiC™功率模块可使列车电机和变频器的总能耗降低10%。此外，更紧凑、更轻巧的变频器和简化的冷却系统有助于显著降低发动机运行噪声，实现低碳环保。