采用TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V分立器件，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。基于第一代增强型沟槽栅技术，在电压等级上实现向上拓展，成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。凭借.XT扩散焊技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增强型 M1H Trench SiC MOSFET芯片技术，搭载EasyPACK™ 3B封装和62mm两种封装。其中， DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块。它面对1500vDC的光伏逆变器系统，实现了更简单的解决方案，减少了器件的数量，同时提高了功率密度。
62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块，优化了VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压范围等SICMOS关键性能。该产品VGS(th) 最大正负栅极源极电压分别扩展至 +23 V 和 -10 V，同时增大了推荐栅极驱动电压的范围, +15...+18 V 和 0...-5 V。过载条件下的Tvjop最高可达175℃， 与市场同类产品相比，62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块具备高频、耐高压、耐高温、低损耗、抗辐射能力强的显著优势。