IIC Shenzhen - 2024国际集成电路展览会暨研讨会
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2024年度全球电子成就奖
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Power Integrations
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集成1250V氮化镓开关的InnoSwitch™3-EP电源IC
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集成1250V氮化镓开关的InnoSwitch™3-EP电源IC
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2024年度全球电子成就奖 - 年度电源管理/电压转换器产品
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InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。该器件内部集成1250V的PowiGaN™氮化镓开关,是全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。其他厂商只发布了750V额定耐压的器件。
Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一。这使得功率变换的效率可以达到93%,进而有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。在高达85W输出功率的情况下无需散热片。
InnoSwitch™3-EP 1250V IC还具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈电路。
InnoSwitch3-EP 1250V IC的额定耐压为1250V,这意味着该器件可用于峰值工作电压为1000V的应用,因为1250V提供了足够的裕量,可以满足80%的行业降额标准。这一点对于那些具有挑战性电网环境的应用尤其重要。因为在这种环境下,耐用性是抵御电网波动、浪涌以及其他电力扰动的重要防御手段。
InnoSwitch™3-EP 1250V IC采用PowiGaN技术,这是Power Integrations内部开发的氮化镓技术。PowiGaN开关取代了PI高度集成的离线反激式开关IC(如InnoSwitch3)初级侧的传统硅晶体管,从而降低开关损耗并使设计出的充电器、适配器和敞开式电源比硅基器件更高效、更小巧、更轻便。
2024年度全球电子成就奖
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