2024年度全球电子成就奖 / 英诺赛科 / 英诺赛科合封氮化镓芯片 ISG3202LA
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英诺赛科合封氮化镓芯片 ISG3202LA
成功入围,正在参加评选 2024年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
产品特征及规格:
英诺赛科ISG3202LA是一颗高度集成的100V半桥合封氮化镓芯片,其内部集成了2颗100V/3.2mΩ的氮化镓,1颗半桥驱动器,以及若干电容电阻,采用LGA 5X6.5超小封装。
优势与应用领域:
该产品优化了功率回路设计,可支持高达5MHz开关频率,并提供高效率和低EMI;具备较短的传输延迟和近乎完美的延迟匹配,便于优化死区时间;内置智能自举开关,保证高边/低边驱动电压一致;还有多种过压/欠压/过温保护,以增加系统的可靠性。主要面向 48V 数据中心、48V 汽车电子、马达驱动等应用领域。
相比竞品的优势:
与市面上同规格产品相比,英诺赛科100V半桥合封氮化镓芯片 ISG3202LA 内置了 VCC/BST 电容,能够极大简化系统成本;并具备传输延迟更短(14ns),延迟匹配更好,VCC静态电流更低等优势。
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。