2024年度全球电子成就奖 / 瑞能半导体科技股份有限公司 / 瑞能第二代超结场效应晶体管
瑞能半导体科技股份有限公司
WeEn Semiconductors Co.,Ltd
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瑞能第二代超结场效应晶体管
成功入围,正在参加评选 2024年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
瑞能第2代超结场效应晶体管,通过改进外延层工艺、减少元胞尺寸和缩短超结深度等方法,在不牺牲寄生参数的情况下,将单位面积导通电阻降低至世界先进水平。同时,在较大电流环境下,导通电阻依然保持稳定。与同等单位面积导通电阻水平的产品相比,瑞能第2代超结场效应晶体管在容性损耗方面有明显优势。其集成的快恢复体二极管在反向恢复时可承受1000 A/us的应力,兼顾软硬开关的性能需求。在更大元胞尺寸下,瑞能第2代超结场效应晶体管达到了世界一流的FOM因子水平,具有显著的工艺成本优势。

瑞能始终坚持采用高于行业标准的可靠性评估,其产品得到了广大客户的充分肯定。作为全本土化的功率二极管设计和制造商,瑞能以及时的客户技术支持、高性价比的解决方案和稳健的供应保障,赢得了客户的一致好评和认可。
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