主要特征、规格及应用领域：
T10 PowerTrench 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，可提高数据中心能效，实现大幅节能，满足人工智能计算的庞大处理需求。该系列产品以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的 Qrr 有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。采用 T10，电子变流器可以设计为高效的分立方案，允许将栅极驱动器放置在 MOSFET 附近，使电流路径更短。
T10 PowerTrench 系列还符合汽车应用所需的严格标准，适用于各种需要 40V 和 80V MOSFET 的新型 48V 应用和传统 12V 应用。
主要优势：
对于低压 FET，衬底电阻可能占 RDS(ON) 的很大一部分。因此，随着技术的进步，使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。在 T10 技术中，安森美成功减小了晶圆厚度，从而将 40V MOSFET 中衬底对 RDS(ON) 的影响从约 50% 减少到 22%。更薄的衬底也提高了器件的热性能。
与传统的 T8 沟槽栅极技术相比，T10 实现了：
• 更低的 RDS(ON) 和栅极电荷 QG，RDS(ON) < 1mΩ，QG < 10 nC。
• 更低的 Rsp（RDS(ON) vs 面积）
• 改进了 FOM（Rds x Qoss/QG/Qgd），提高了性能和整体效率。
• 业界领先的软恢复体二极管（Qrr、Trr），减少了振铃、过冲和噪声。
安森美与竞争对手对比：≈1 mΩ RDS(ON) 40V 器件规格
10V 时 RDS(ON) 最大值 (mΩ) 10V 时 Qg(tot) (nC) Ciss (pF) Coss (pF) Crss (pF)
µ8FL (WDFNW8)
NVTFWS1D3N04XM

安森美 (T10M 40V) 1.01 54 3570 1930 29
竞争产品 A 1.03 81 5291 1602 65
竞争产品 B 1 91 6666 1644 309
竞争产品 C 1.24 86 5309 1521 138
竞争产品 D 1.14 55 4560 2940 320