（一）产品主要特点：
1.低比导通电阻
蓉矽半导体第二代1200V 20mΩ SiC MOSFET相较前代产品，元胞尺寸缩减37%；
2.驱动电压降低，串扰改善
蓉矽半导体第二代1200V 20mΩ SiC MOSFET相较前代产品，驱动电压由-5/+20V降低至-3/+18V，同时串扰问题得到改善；
3.密勒电容降低70%；
4. 栅氧化层场强相较前代产品降低50%，器件可靠性得到进一步提升。
（二）产品主要规格：
VDS = 1200V
ID@25°C = 126A
RDS(on)= 20mΩ
Qg=282nC
Coss=175pF
最高工作结温：175℃
（三）应用领域
蓉矽半导体第二代NovuSiC^® 1200V 20mΩ SiC MOSFET产品在大功率60kW充电桩模块、50kW以上储能变流器等工业领域已通过客户端测试验证。