2024年度全球电子成就奖 / 纳微半导体 / GeneSiC第三代快速碳化硅MOSFETs
纳微半导体
Navitas Semiconductor
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GeneSiC第三代快速碳化硅MOSFETs
成功入围,正在参加评选 2024年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
纳微半导体第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用如AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)而设计。

基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发,G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能,可使器件的外壳温度降低高达25°C,比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。同时,得益于这一技术,G3F的RDS(ON)受温度影响小,在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中,与竞争对手相比,RDS(ON)降低高达20%。

G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化,其开关频率高达600 kHz。与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比,硬开关品质因数(FOMs)提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源(PSUs)的功率增加到10kW,每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。

所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高,且短路耐受时间延长30%,以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制,因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。
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