利用 EPC 的新型 50 V GaN FET 在微小的 1.8 mm2 封装中设计更高功率密度的 USB-C PD 应用
EPC 是全球增强型氮化镓 (GaN) 功率 FET 和 IC 领域的领导者，推出了 50 V、8.5 mΩ EPC2057，其尺寸仅为 1.5 mm x 1.2 mm，可为 USB-C PD 应用提供更高的功率密度

EPC 的氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的 RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 QRR。最终结果是一种器件可以处理需要非常高的开关频率和低导通时间的任务，以及那些导通损耗占主导地位的任务。

随着 USB-C PD 的日益普及，对能够提供更高效率和性能、同时最大限度地减少尺寸和发热量的电源组件的需求不断增长。 EPC 的新型 GaN FET 旨在满足这一需求，提供传统硅基 FET 的卓越替代品。

EPC2057 增强模式功率晶体管专为满足高功率 USB-C 设备不断变化的需求而设计，包括消费电子产品、车载充电和电动汽车中使用的设备。

EPC2057 的主要特性和优点包括：
• 高效率：新型50 V GaN FET 具有仅为8.5 mΩ 的超低导通电阻，可显着降低功率损耗并提高整体效率。
• 紧凑设计：其占地面积极小，非常适合空间受限的应用，从而可实现更小、更高效的电源适配器和充电器。
• 快速开关：GaN 技术可实现更快的开关速度，提高功率密度并减小无源元件的尺寸，从而实现更紧凑、更轻量的设计。
• 应用：
直流-直流转换器
隔离式 DC-DC 转换器
USB-C 电池充电器
LED照明
12-24V 输入电机驱动器

设计工程师还将受益于 EPC 的 EPC90155 半桥开发板，该开发板采用 EPC2057 GaN FET。它设计用于 40 V 最大工作电压和 10 A 最大输出电流。该板的目的是简化电源系统设计人员的评估过程，以加快产品的上市时间。该 2” x 2” (50.8 mm x 50.8 mm) 板专为实现最佳开关性能而设计，并包含所有关键组件以便于评估。

随着 USB-C PD 不断受到关注，高效、紧凑、高性能的电源解决方案至关重要。该 GaN FET 通过可靠、高效的解决方案来提高性能，从而满足这些需求。