P2 系列

主要特性
◆單晶片 e-Mode GaN HEMT
◆ICeGaN™ 閘極技術
◆整合米勒箝位
◆提供底端冷卻和雙面冷卻的熱增強型封裝
◆可濕焊盤便於進行自動光學檢測
◆雙柵極引腳配置

主要優勢
◆高效率
◆相容於 Si MOSFET、SiC 和 IGBT 閘極驅動器
◆寬閘極驅動電壓 (9-20 V)
◆對 dv/dt 引起的直通事件具有抗擾性
◆真正的 0 V 關斷功能實現簡單的閘極驅動
◆出色的閘極穩健性
◆在高功率應用中最佳化散熱效果
◆快速導通時間實現高工作頻率
◆輕鬆並聯

應用
◆資料中心和電信 SMPS
◆工業馬達驅動器
◆光伏逆變器
◆不間斷電源
◆儲能係統