2024年度全球电子成就奖 / 比亚迪半导体股份有限公司 / 1200V 280A IGBT
比亚迪半导体股份有限公司
BYD SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED
访问官网
长按二维码识别后，点右上角分享
1200V 280A IGBT
成功入围，正在参加评选 2024年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
请投我一票
本产品采用比亚迪半导体最新的IGBT6.0技术方案，采用深亚微米沟槽栅复合场终止层技术。攻克高深宽比高密度沟槽工艺难点，实现深亚微米级元胞设计与加工，获得了极低的饱和压降，较常规产品降低25%；优化后的复合场终止层获得了超大电流下极软的开关软度。本产品具有超高电流密度、极小的开关损耗、优异的鲁棒性等特点。本型号产品已成功批量应用于比亚迪重磅推出DM5.0平台各车型上，助力实现续航超2000KM的颠覆性性能表现
本次投票禁止恶意刷票行为，主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。