普冉半导体“P25Q32SN：业界首家1.1V 6.5UJ/Mbit新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片”。该系列产品可用于由电池供电且设计空间有限的装置，如行动装置、物联网和穿戴式装置。具体可应用于设备的开机启动、蓝牙、WIFI连接等功能领域。
· 支持1.1V电源系统，为业界最低，具备宽电压范围1.05V~2.00V，可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统；
· 采用业界创新工艺和领先制程的40nm SONOS工艺；
· 目前行业最低功耗，1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW，80M DTR 4IO读取功率约4.2mW；
· 快速读取：416Mbps (STR 4IO)；640Mbps (DTR 4IO)；
· 同时支持SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP 等多种封装形式以及 KGD for SiP；
· 基于极低功耗，为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助，助力元宇宙的国产生态链完善。