IIC Shenzhen - 2024国际集成电路展览会暨研讨会
返回首页
时间:2024.11.5-6
地址:中国深圳 福田会展中心
返回首页
English
2024年度全球电子成就奖
/
东芯半导体股份有限公司
/
2xnm 4Gb SPI NAND Flash
东芯半导体股份有限公司
访问官网
Dosilicon Co., Ltd.
访问官网
生成分享海报
分享到微信
长按二维码识别后,点右上角分享
2xnm 4Gb SPI NAND Flash
成功入围,正在参加评选
2024年度全球电子成就奖 - 年度存储器产品
请投我一票
公司的SPI NAND Flash产品是单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器,并带有内部ECC模块,使其在满足数据传输效率的同时,既节约了空间,又提升了稳定性。产品拥有2xnm成熟工艺制程,不仅能满足常规应用场景,使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗,有效延长设备的待机时间,也更灵活地适用于不同应用场景。
规格:
密度/Density:4Gb
电压/Voltage: 1.8V/3.3V
温度/Temperature: -40℃~85℃
速度/Speed: 83MHz/104MHz
封装/Package: WSON 8x6
2024年度全球电子成就奖
时间:2024.11.5-6
地址:中国深圳 福田会展中心
东芯半导体股份有限公司
2xnm 4Gb SPI NAND Flash
正在参加评选
2024年度全球电子成就奖 - 年度存储器产品
投票
请扫码投我一票
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。