年度最具潜力第三代半导体技术-投票-2024年度全球电子成就奖-EET电子工程专辑

WeEn Semiconductors Co.,Ltd

获奖理由：瑞能半导体推出一系列顶部散热型表面贴装碳化硅器件，封装包括TSPAK和TOLT，产品覆盖SiC肖特基二极管与MOSFET，构成完整的产品阵容。相较于传统底部散热型表贴功率器件，顶部散热封装为客户提供了更为灵活的热管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潜力。基于顶部散热的封装设计，可以使功率器件热量直接向散热器传递，不必经过PCB的热过孔，显著降低结到散热器热阻约17%~19%，帮助提升电路性能或减小功率器件选型降低成本。同时，PCB设计可以采用更灵活的电流路径规划，取消热过孔或PCB散热覆铜面积后，可以获得最小的电流环路面积和极低的线路寄生感抗，使开关损耗和EMI辐射水平也降到最低，缩短产品EMC调试时间和成本。采用顶部散热封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247等传统直插型封装，还具有基于SMD的PCB组装方式，同时避免依次安装绝缘衬套紧固螺丝，实现高效制造流程的额外优势。瑞能提供丰富的顶部散热产品选择和组合模式，工规与车规产品均有规划。可以应用于OBC，充电桩模块，服务器电源，光伏逆变器等各种功率变换设备，帮助产品设计提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。 TOLT封装提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。 TSPAK产品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。

查看详情请投我一票

珠海市芯动力科技有限公司

XDL Technologies Inc.

获奖理由：珠海市芯动力科技有限公司自主研发的RPP架构，是全球首款针对并行计算设计的芯片架构，实现了低成本、低功耗、低延时、高性能、快速部署和广泛应用的全方位平衡，为AI计算领域带来全新解决方案。RPP架构结合CGRA与CUDA语言，攻克可重构阵列编程难题，显著提高了并行计算效率。其存算一体化技术创新，优化了内存访问，降低了功耗，提升了边缘AI芯片的运算效率。与市场主流技术（如英伟达的GP-GPU）相比，RPP架构在计算密度、功耗效率等方面展现出显著优势。在相同的芯片面积和功耗下，RPP能够输出更多的计算能力。RPP-R8芯片实测在ResNet-50测试中每秒处理1500张图像，性能远超英伟达Xavier，且功耗更低。基于RPP架构设计的AE7100芯片，表现出色，同等算力下总面积仅为英伟达AGX芯片的1/3，集成1024个计算核，尺寸小巧，仅为17mmX17mm，适合嵌入式和边缘计算。AE7100支持多种编程语言，简化应用开发，能效比高达Nvidia Jetson Xavier的5倍。AE7100芯片还具备强大的编程灵活性。它支持RPP汇编及CUDA C/C++，简化了应用开发流程。该芯片产品已成功适配Llama3-8B、Stable Diffusion、通义千问等先进模型，应用领域已覆盖边缘大模型、工业自动化、安全监控、内容过滤、医疗影像及信号处理等。此项目有望在大模型端侧设备部署中发挥重要作用，推动AI技术发展和应用，对中国电子产业产生积极影响。

查看详情请投我一票

上海新微半导体有限公司

Advanced Micro Semiconductors Co., Ltd. (“AMSFAB”)

获奖理由：新微半导体基于自有硅基氮化镓外延片，提供的覆盖高、中和低压（40V-650V）晶圆代工产品，采用非金 GaN HEMT 工艺，具有高击穿电压以及高工作频率等卓越优势，具有栅极最小线宽0.5μm、P 型栅技术、W 栓工艺、CMP 工艺、低欧姆接触电阻和动态电阻等工艺特征。低压(30V~40V)硅基氮化镓功率器件工艺平台新微半导体提供低压6吋GaN HEMT晶圆代工产品，具有超低栅级漏电、超低导通电阻、更小的器件面积，覆盖消费电子、充电保护等终端应用场景。中压(100V~150V)硅基氮化镓功率器件工艺平台新微半导体提供中压6吋GaN HEMT晶圆代工产品，具有低栅极电荷、高开关频率和低导通电阻等特性。凭借其高频、低能耗的性能优势，产品可广泛应用于适配器、电机驱动和模块电源等工业领域。高压(650V~700V) 硅基氮化镓功率器件工艺平台新微半导体提供高压650V 6吋GaN HEMT晶圆代工产品，具有高击穿电压、高开关频率等卓越优势，可广泛应用于快充、数据中心、汽车电子等重要行业领域。功率器件硅基氮化镓外延工艺平台新微半导体自产功率外延工艺平台采用了业界广泛应用的硅基氮化镓异质外延。由于氮化镓和硅有较大的晶格失配以及热膨胀系数的差异，因此高品质的6吋硅基氮化镓外延极具挑战。新微半导体通过应力调控、有源层设计等技术，针对多种不同应用场景开发出高质量6吋硅基氮化镓外延工艺，实现了低缺陷密度的硅基氮化镓外延。公司最新6吋硅基氮化镓外延晶圆（D/E-Mode）已满足40V/150V/650V应用，具有无龟裂、低翘曲、高均匀性、良好的表面形貌和工艺可重复性等卓越的性能特征。此外，在常温及150℃高温下，外延晶圆均具有较低的垂直漏电流。

查看详情请投我一票

安森美

onsemi

获奖理由： 1. EliteSiC M3S 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得设计人员能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。 2. 九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM) 赋能更小、更轻的双向快速充电平台，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。与传统的硅基 IGBT 解决方案相比，尺寸最多可减小 40%，重量最多可减轻 52%，实现在短短 15 分钟内将电动汽车电池充电至 80%，解决电动汽车普及的关键难题。优势：针对每个模块，安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性; 采用第三代 M3S SiC MOSFET技术，提供超低的开关损耗和超高的效率；支持多电平T型中性点钳位(TNPC)、半桥和全桥等关键拓扑；支持 25 kW 至 100 kW 的可扩展输出功率段，支持多个直流快速充电和储能系统平台，包括双向充电；采用行业标准 F1 和 F2 封装，可选择预涂热界面材料 (TIM) 和压接引脚；实现最佳热管理，避免因过热导致的系统故障；全碳化硅模块最大限度地减少功率损耗，从而实现节能和降低成本；提供更高的稳健性和可靠性，从而确保持续连贯工作。

查看详情请投我一票

进迭时空（杭州）科技有限公司

SpacemiT（Hangzhou） Technology Co.Ltd

获奖理由： SpacemiT X100™ 高性能核 SpacemiT X100™ 高性能核是一款4发射乱序的多核多簇 RISC-V RVA23 处理器核，面向服务器等高性能场景进行了全面优化，有着完整的高性能场景解决方案，目前已完成虚拟化。 Spacemit X100™ 高性能核具备服务器等高性能场景所需的高计算性能、虚拟化、安全抗攻击、RAS等特征，适合应用在于云计算CPU、云计算DPU、云端AI推理芯片主控、自动驾驶等场景。已经获得中国开放指令生态（RISC-V）联盟（英文缩写为CRVA）2023年年会颁发的唯一一个“前沿创新奖”。

查看详情请投我一票