IIC Shenzhen - 2024国际集成电路展览会暨研讨会
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时间:2024.11.5-6
地址:中国深圳 福田会展中心
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2024年度全球电子成就奖
IIC Shenzhen - 2024国际集成电路展览会暨研讨会 -
时间:2024.11.5-6
地址:中国深圳 福田会展中心
企业奖项
产品奖项
年度杰出新锐公司奖
年度最佳电子企业奖
年度杰出创新企业
年度最具潜力物联网技术企业
年度最具潜力人工智能技术企业
年度最具潜力第三代半导体技术
更多
年度传感器产品
年度放大器/数据转换器产品
年度射频/无线/微波产品
年度处理器/ DSP / FPGA 产品
年度微控制器/接口产品
年度存储器产品
年度功率半导体/驱动器产品
年度电源管理/电压转换器产品
年度高性能无源/分立器件
年度测试与测量产品
年度 EDA/IP/软件产品
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2024年度全球电子成就奖
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年度 EDA/IP/软件产品
2024全球电子元器件分销商卓越表现奖
万有引力(宁波)电子科技有限公司
GravityXR Electronics and Technology Co., Ltd
获奖理由:
万有引力(宁波)电子科技有限公司,致力于XR(VR/MR/AR)领域核心技术研发,以GravityXR仿生视觉芯片作为载体,硬件技术与算法作为支撑,为下一代XR个人计算平台及移动终端提供完整技术方案。创始团队成员均毕业于世界一流高校,同时拥有丰富的业界经验,曾在全球的高科技公司担任过最前沿技术研发的重要职位,在芯片、显示、感知、图像视觉和XR方面有着深厚的积累,均为业界领军人物。公司自成立以来已经完成10亿元融资,知名股东有高榕资本、红杉资本、IDG资本、歌尔股份、米哈游、三七互娱等。
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深圳市元视芯智能科技有限公司
MetaSilicon
获奖理由:
深圳市元视芯智能科技有限公司,自2021年成立以来,迅速崛起为芯片设计领域的璀璨新星。我们深耕端侧AI、高精度ADC、计算光学及Stacking Sensor等前沿技术,为汽车、医疗、工业、AR&VR等行业打造AI加速的新一代CMOS图像传感器芯片(CIS)。 仅两年间,元视芯便突破性地推出了覆盖手机5M、8M及汽车级1.3M、3M的CIS产品矩阵,并于2023年成功实现首颗产品的量产,彰显了公司强大的研发实力与高效的执行力。我们的核心团队汇聚了超过18年芯片设计经验的精英,为技术创新提供了坚实的后盾。 尤为值得一提的是,公司自主研发的LOFIC+DCG HDR®技术,能在单次曝光中融合High Gain与Low Gain双影像,将CIS成像动态范围提升至140dB,可更好地满足高端ADAS/AD系统对高HDR的严苛要求,为智能驾驶安全保驾护航。
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传智驿芯科技(南京)有限公司
Transchip Technology (Nanjing) Co., Ltd
获奖理由:
SoC凭借集成度高、功耗低、成本低等优势,已成为大规模集成电路系统设计的主流方向。片上网络(NoC)是将CPU/GPU/Video/DDR等各个模块和外围连接起来构成SoC的总线网络传智驿芯的片上网络子系统能够帮助芯片设计企业降低功耗、提升性能、加快SoC开发速度,从而降低开发和生产成本。
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知存科技
Witmem
获奖理由:
知存科技是全球领先的存内计算芯片企业,专注于AI应用场景,致力于推动存内计算技术的商业化和量产。公司通过颠覆性的技术创新,突破了传统计算架构的局限,实现了存储与计算的物理融合,显著减少了数据搬运,大幅提升了AI计算效率。2022年,知存科技推出了全球首颗大规模量产的存内计算SoC芯片WTM2101,该芯片在智能语音、AI健康监测等领域率先落地商用,赋能端侧AI能力的提升和突破。 目前,知存科技自主研发的第二代3D存内计算架构芯片WTM-8系列即将量产,预计提供至少24Tops的算力,同时功耗仅为市场同类方案的10%,将极大推动移动设备在图像处理和空间计算方面的性能提升。 自2017年成立以来,知存科技已经获得了多家科技领军企业和顶级财务投资机构的持续支持。展望未来,知存科技将继续提升AI算力,完善生态体系,为AI技术的普及和应用提供坚实的基础。
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无锡海普存储科技有限公司
Wuxi HippStor Technology Co., Ltd
获奖理由:
海普存储科技有限公司成立于2023年5月,专注于企业级存储产品的研发、生产和销售,在过去1年快速发布了“海普存储 HippSTor”品牌的HP600 NVMe SSD、DDR4/DDR5 RDIMM和ECC SODIMM等产品,为数据库、人工智能、Cloud企业级应用提供高性能、高可靠、低功耗的存储解决方案。 1、公司专有的SSD性能加速技术,突破PCIe Gen4接口的性能瓶颈,使HP600 NVMe SSD成为当前PCIe Gen4 SSD产品市场性能最好的,甚至部分性能指标达到了PCIe Gen5的水平; 2、由于当前市场上ECC SODIMM普遍采用消费级DRAM颗粒,其可靠性无法满足Cloud核心数据交换机的需求,海普存储ECC SODIMM采用可靠性高的企业级DRAM颗粒方案,弥补了市场空缺,满足了Cloud业务需求。
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芯易荟(上海)芯片科技有限公司
CHIPEASY TECHNOLOGY (SHANGHAI) LIMITED
获奖理由:
FARMStudio是一款以C语言描述,基于RISC-V基础指令集的专用处理器生成工具。针对密集计算和复杂数据处理的应用场景,赋能工程师自由探索计算架构,优化PPA,快速收敛至最佳设计。该工具可广泛应用于定制针对视觉、AI、通信、音频、DPU、工业控制等领域的处理器解决方案,助力芯片设计公司高效自研IP,打造定制化、差异化的处理器产品。内嵌面向丰富应用场景的DSA设计范式,便于客户快速集成、优化和验证DSA处理器,突破传统IP能效上限,并以更低的成本适应算法与产品的持续迭代。 FARMStudio是领域专用处理器(DSA)前端设计中极具竞争力的EDA工具: 1. 采用易于理解和广泛应用的C语言作为DSA的设计输入语言,相较传统的HDL输入语言更具优势; 2. 由工具生成的DSA处理器即兼容开源RISC-V标准,还满足客户自定义算法计算需求; 3. 集成的DSA设计和验证环境实现跨界团队无缝协作,大幅缩短设计周期; 4. FARMStudio工具首次实现了可以让算法工程师和硬件设计师在同一开发界面上协作,这一突破不仅能够给客户带来工作效率上的提升,同时跨界合作还能激发设计团队的潜力,打造具有创新性的芯片设计。
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麦斯卓微电子 (南京)有限公司
MEMS Drive Nanjing Limited
获奖理由:
MEMS 自动对焦(AF)致动器是压电多态薄膜致动器,可以在 Z 轴和倾斜方向移动,以实现三轴补偿。这些 MEMS 装置设计基于标准的硅制造工艺,因此具有良好的可扩展性和易于处理、测试和封装的特点。 这种基于传感器的技术有多个优势。与基于镜头的单轴 AF 系统相比,它提供了三轴影像调整(Z 轴、倾斜和旋转)。它还可以比基于镜头的 AF 系统快 3 倍,精度提高 10 倍,可以检测到小于像素的振动,而基于镜头的 AF 系统只能达到 3-5 微米的精度。最后,它通过不使用马达来移动镜头,功耗最多可降低 50 倍,并避免加热问题影响图像质量。 在汽车应用中,行驶过程中持续的振动可能导致模糊影像,而温度和湿度等环境因素可能使摄像头变形,进一步降低视频质量。MEMS AF 技术通过提供自动对焦(AF)解决方案来解决这一问题,增强影像清晰度和稳定性,满足高级驾驶辅助系统(ADAS)对汽车安全所需的严格质量标准。 MEMS 压电自动对焦技术还正在改变手机和增强现实/虚拟现实摄像系统。MEMS 技术通过快速和精确地调整摄像模组来增强性能,确保精确对焦和最大视觉清晰度,显著提升整体用户体验。MEMS 致动器的低功耗消耗还可以减少加热问题,增强设备性能和使用寿命。
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原粒(北京)半导体技术有限公司
Calculet semiconductor technologies, Co., Ltd
获奖理由:
原粒半导体是一家创新的AI Chiplet供应商,旨在凭借国际领先的多模态AI处理器设计技术和AI算力融合技术,提供新型AI算力支持。 原粒半导体核心产品通用高性能AI芯粒支持包括传统CNN算法以及多模态大模型算法,并将基于AI芯粒推出包括芯片、模组、板卡等在内的相关产品,为智能座舱、机器人、泛消费电子等不同应用场景的多模态大模型提供AI算力支持。 原粒半导体凭借领先的通用多模态AI处理器设计技术,实现了算法通用性和计算效率的平衡统一。 原粒半导体独有的AI算力融合技术CalFusion 支持多层次灵活透明的计算核心融合和扩展,用户可以轻松利用多颗CalCore 芯粒或芯片在封装基板层面以及PCB层面进行堆叠和扩展,构建不同算力的Al 解决方案,满足不同规格和成本需求的Al应用场景。
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苏州亿铸智能科技有限公司
Suzhou Yizhu Intelligent Technology Co., Ltd.
获奖理由:
亿铸科技具有“四新一强”的企业优势,即:存算一体架构创新,ReRAM新型忆阻器的应用创新,全数字化技术路径应用创新,存算一体超异构系统级创新以及专业团队阵容极强。亿铸科技通过存算一体架构创新突破传统冯·诺依曼架构带来的“存储墙”“能效墙”“编译墙”等瓶颈,天然非常适合AI并行计算,因为其可落地性极强、算力发展天花板非常高,可以说是为AI计算而生的计算架构。 而对标国内外存算一体企业,亿铸科技选择的新型忆阻器RRAM具备低功耗、高计算精度、高能效比和制造兼容CMOS工艺等优势,且现在基于成熟制程,国内已有量产,是最适合存算一体AI大算力的存储器件。RRAM也已被列入大多数国内外存算一体企业的产品路线图。 同时,亿铸科技采用全数字化的技术路线做存算一体芯片,能够在整个计算过程中不受到工艺和工作环境的影响,没有精度损失,也没有数模/模数转换导致的性能低、能效比低或者晶圆面积过大等问题。
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苹芯科技
Pimchip Technology
获奖理由:
苹芯科技依托深厚的技术积累及行业经验,专注于利用新兴的存算一体技术对人工智能计算加速。我们的目标是将数据计算和数据存储相融合,突破传统芯片架构固有的局限性,从而低成本地实现高性能的AI计算引擎。相比于冯·诺依曼架构的AI加速芯片,非冯架构芯片功耗更低、效率更高、面积更小,因此非常适合处理人工智能相关应用场景下复杂神经网络计算工作。 苹芯科技基于SRAM存算一体技术研发的AI加速单元及芯片,具备高能效、小面积、低功耗、低成本等特点,可高效完成数据密集型任务。其中PIMCHIP-N300是新一代存算一体神经网络处理单元(NPU),可提供面向机器学习和人工智能领域的专用加速核心,并以更高的效率、更低的耗能处理人工神经网络等机器学习算法和深度学习模型,助力AI多场景落地;PIMCHIP-S300是专门应用于智慧感知决策方向的AI芯片,作为整合了强大AI算力的端侧核心芯片,PIMCHIP-S300具备多模态融合感知、跨领域智慧决策、超低功耗、极速响应等产品优势,同时可为用户提供端到端的语音、图像、雷达等完整解决方案和应用。
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广东济德精密电子有限公司
GUANGDONG JIDE PRECISION ELECTRONICS CO., LTD
获奖理由:
DHT穿缸件连接器是一款贯穿车用混动变速箱或发动机缸体的电气连接集成高可靠性连接器,不仅可实现耐高温、耐油、抗震动、高寿命还能大幅度简化变速箱缸体设计及组装。 技术参数 震动/机械冲击 等级 V5 (GMW 3191) (浸油,无渗漏,无连接中断) 热冲击 USCAR-2 5.6.1.3 100个循环 -40℃~140℃ 温湿度循环 USCAR-2 5.6.2.3 -40℃~140℃ 0%~95% RH 高温老化 963小时 125℃ 41小时 132℃ 4小时 140℃℃ 浸泡 2小时 140℃ 深度 30-40厘米 30分钟 压力/真空泄漏 原始值:48kPa 环境测试后:28kPa 高压喷雾 8000Kpa,80°C 全球新能源汽车市场出现混动汽车销量大增,因其前期成本低、无里程焦虑,市场认可度提升。混动车型变速箱及发动机需要集成更多的油电传感器及通信控制信号,缸体上引出尽可能多的导通线束,人工操作装配带来不便, 由于缸体内部的特殊环境(如高温/油/振动),工况环境可靠性要求非常高 ,穿缸体连接器解决了这些操作及可靠性问题;穿缸体连接器穿过变速器或者发动机的缸体,使其内部和外部实现电气连接的连接器,总装厂装配线体组装方便操作。 应用领域:混动变速箱、发动机、电机
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博测锐创半导体科技(苏州)有限公司
Bontec Raysemi Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd
获奖理由:
博测锐创半导体科技(苏州)有限公司——功率半导体、宽禁带半导体检测领域的设备制造商、系统方案解决商、检测服务提供商。从核心大功率SMU(源、表)到系统架构的自主研发,填补国内在半导体高端检测设备领域的空白,实现进口替代,解决“卡脖子”问题,为产、学研、用各环节提供测试分析技术手段和服务。以先进测试分析技术,助力全球半导体科技创新发展。 1、领军人---国家电网智能电网研究院原院长邱宇峰 ---主导02专项《直流电网装备用压接型IGBT器件优化研究》 ---主导国重项目《碳化硅大功率电力电子器件及其应用基础理论研究》 2、领军企业---首批入住苏州纳米城半导体领军企业 3、核心团队---由是德科技、国内知名半导体企业技术人员及业内知名宽禁带半导体研发成员组成 4、技术底蕴---国网级20余年测试底蕴 5、智能化四象限SMU---3KV/2.2KA能力 ---10fA测量分辨率 ---pA级漏电测量精度 6、系统优势---多元化系统定制
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