年度高性能无源/分立器件-投票-2024年度全球电子成就奖-EET电子工程专辑

产品：CoolSiC™ MOSFET 2000V 碳化硅分立器件&模块(EasyPACK™ 3B & 62mm封装)

获奖理由：采用TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V分立器件，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。基于第一代增强型沟槽栅技术，在电压等级上实现向上拓展，成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。凭借.XT扩散焊技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。 CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增强型 M1H Trench SiC MOSFET芯片技术，搭载EasyPACK™ 3B封装和62mm两种封装。其中， DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块。它面对1500vDC的光伏逆变器系统，实现了更简单的解决方案，减少了器件的数量，同时提高了功率密度。 62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块，优化了VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压范围等SICMOS关键性能。该产品VGS(th) 最大正负栅极源极电压分别扩展至 +23 V 和 -10 V，同时增大了推荐栅极驱动电压的范围, +15...+18 V 和 0...-5 V。过载条件下的Tvjop最高可达175℃，与市场同类产品相比，62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块具备高频、耐高压、耐高温、低损耗、抗辐射能力强的显著优势。

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英飞凌科技（中国）有限公司

产品：采用.XT技术的XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV

获奖理由：英飞凌的FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1功率模块采用新开发的3.3kV CoolSiC™ MOSFET和英飞凌的.XT互连技术，封装为XHP™ 2。一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块；二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ（25℃条件下），标称电流750A的模块，专为牵引等要求苛刻的应用而设计。列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。英飞凌3.3kV CoolSiC™ MOSFET的新型碳化硅产品，凭借低开关损耗和更高的开关频率，具备高功率密度、高可靠性和高质量的特性，对于未来的列车极其重要。除了需要高效、可靠的碳化硅（SiC）芯片之外，牵引驱动器的功率模块还需要适合高速开关的封装，延长器件使用寿命的互连技术。英飞凌的新型功率模块具备以下特性：英飞凌XHP 2封装中带有集成体二极管的CoolSiC™ MOSFET芯片能够实现低开关损耗，同时保持高可靠性和功率密度。 XHP 2封装还具备低杂散电感、对称且可扩展的设计以及大电流等特性。FF2000UXTR33T2M1模块的漏源导通电阻为2.0mΩ，而 FF2600UXTR33T2M1模块的漏源导通电阻为 2.6mΩ。尽管列车运行有严格的运行要求，但英飞凌的 .XT 互连技术提高了功率循环能力。与传统解决方案相比，英飞凌的CoolSiC™功率模块可使列车电机和变频器的总能耗降低10%。此外，更紧凑、更轻巧的变频器和简化的冷却系统有助于显著降低发动机运行噪声，实现低碳环保。

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Molex莫仕

产品：MX-DaSH数据-信号混合连接器

获奖理由： Molex莫仕MX-DaSH数据-信号混合连接器产品组合是创新的线对线和线对板连接器系列，在单一连接器系统中整合了电源、信号和高速数据连接。该系列产品专为满足汽车行业对体积更小、成本效益更高的电缆间和分区架构 (zonal architecture) 应用日益增长的需求而设计。 MX-DaSH 可以提供支持各种接口的线对板连接模块化区段结构或插装盒，而无需改变外形尺寸或占位面积，从而最大限度地降低了传统线束的成本和复杂性。高速数据连接通常使用单一连接器，与传统的电源和信号连接并存。这种高速连接通常必须在车内单独布线，从而增加了材料清单(BOM)和制造商的加工成本。然而，MX-DaSH 连接器将这两种电路类型整合到一个连接器中，可为电气设计师提供更大的灵活性，同时降低了总体布线成本。由于线对板连接器专为自动化装配操作而设计，MX-DaSH连接系统还有助于降低装配成本和提高工艺效率。由于新产品系列中MX-DaSH 连接器结构非常紧密，因此大大降低了整体重量和制造所需的BOM。此外，MX-DaSH 还支持自动装配流程，从而简化了制造过程并减少了劳动力需求。 MX-Dash连接器系统适用于从自动驾驶模块和相机系统到 GPS 和信息娱乐设备等各种汽车应用。该系统通过多种不同尺寸和类型的端子提供了多功能性，可让设计人员实现他们期待已久的功能，自由轻松地混合搭配连接器，用于不同的汽车设计和应用。 MX-DaSH连接器系统拥有众多优点，除了将传统的电源和信号电路与高速数据连接相结合外，还集成了行业领先的功能，如公端刀片稳定功能，以保护公端刀片在端子配接过程中免受损坏。此外，连接器还具有独立的辅助锁定功能，可以改进公端和母端连接器外壳的端子固定性能，这些功能所带来的优势是其他任何连接器都无法比拟的。 MX-Dash 连接器系统满足了业界对更紧凑、体积更小、成本更低且具有高速数据传输能力的连接器件的需求。

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泰科电子

产品：TE FP20 汽车天线系列

获奖理由： FP20 汽车天线提供 4G、5G、CBRS、Wi-Fi、蓝牙和 GNSS 的组合，以满足您的连接要求。该产品系列包括多达 9 个端口的多端口空气动力学解决方案，以及一系列额外的鞭状天线和连接器选件，适用于所有主要的车载网关和路由器。 FP20 汽车天线作为一个完整的套件提供，包括基本天线和适当的延长电缆，以满足主要车载网关和路由器的端口要求。天线作为套件提供，标配 5 米（16 英尺）延长电缆以及一系列连接器选项。还可选择可互换的鞭状天线，以实现 VHF、UHF 或组合 "VHF、UHF & 700/800/900 MHz "的额外通信。该系列天线在设计时考虑到了全球功能，因此支持欧洲和日本 1450 MHz 范围内的 B11、B32 和 B21。 FP20 汽车系列还包括 L1 和 L5 GNSS，以提高定位精度和响应时间。此外，对于同时使用网关/路由器和双向移动设备的配置，每种设备都需要一个 GNSS 天线。产品特点 • 提供多达 9 个端口的配置，采用下一代技术 • 覆盖所有 LTE/5G 频段（617-7125 MHz）、Wi-Fi 6E/7、蓝牙和 GNSS • 专为要求最高数据传输速率和最低延迟的应用而设计 • 面向未来的 4G/5G 频率扩展（最高 7125 MHz）和 Wi-Fi 6E/7 扩展 • 与所有主要路由器和网关产品兼容 • 可选高功率鞭状天线，处理能力高达 60 瓦 • 可定制连接器、电缆长度和端口配置 • 标配符合 R118 标准的 "燃烧行为 "合格电缆 • 支持欧洲和日本 1450 MHz 范围内的 B11、B32 和 B21 频段 • L1 和 L5 GNSS 可提高定位精度和响应时间 • 带外抑制滤波器可保持性能稳定 • 通过载波聚合等技术实现高数据吞吐量 • 卓越的增益模式、低增益纹波、地平线高增益和超过 70% 的效率 • 通过紫外线、可燃性、湿度、冲击、振动和震动认证

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泰科电子

产品：TE 堆叠式 QSFP-DD 112G 连接器和壳体

获奖理由： TE Connectivity (TE) 堆叠式QSFP-DD 112G 连接器和壳体是新一代数据基础设施互连解决方案，可支持高密度数据中心、云计算和人工智能操作。堆叠式 QSFP-DD 112G 解决方案能够以 112G PAM4 速度运行，并根据 QSFP-DD 多源协议 (MSA) 下各公司制定的机械和性能标准制造。TE 以在连接器和热管理开发方面的丰富专业知识和经验，能够提供完整的垂直集成制造解决方案。 TE 的下一代 QSFP-DD 产品符合业界对信号完整性性能的 112G 信道性能需求。 • 符合 QSFP-DD MSA 规范和 IEEE 802.3ck 规范的信号完整性性能。 • 更高的数据传输速率——支持每个端口 800 Gbps 的总数据传输速率。 • 壳体可支持定制和集成散热器设计，以提高散热性能。 QSFP-DD 壳体可完全向后兼容，提供了从现有 QSFP 解决方案升级到 112G 运行系统的经济途径。 • 向后兼容，支持现有的 QSFP 解决方案无缝升级到 112G 运行系统。由于下一代设计需要支持超大规模数据中心和机器学习基础设施，TE 开发了市场上丰富且灵活的 112G 产品组合。 • 提供设计定制和制造商支持，实现了垂直供应链整合，有助于通过单一来源采购降低风险。

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Vishay

产品：ISOA

获奖理由： ISOA是一款通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上的厚膜功率电阻。这款业内先进器件可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控，预涂相变热界面材料 (PC-TIM) 提高贴装效率。器件采用陶瓷基底取代金属片，可用作预充电、放电、主动放电和缓冲电阻，降低汽车应用成本。 ISOA可选择在电阻封装内集成通过AEC-Q200认证、经过温度循环测试的NTC热敏电阻，简化设计并节省电路板空间，同时可选PC-TIM提高生产加工贴装效率。电阻具有高脉冲处理能力，在85 °C底壳温度下，功率耗散达120 W，减少所需功率器件，从而节省空间并降低成本。器件具有高能量脉冲处理能力 (达110 J / 0.1 s)，并通过3000次230 J / 670 ms和5000次 350 J / 1060 ms多脉冲循环测试，适用于高能和重复浪涌脉冲下的各种应用。此外，电阻还提供客户自定义测试。 ISOA阻值低于竞品解决方案，仅为0.47 Ω，公差为 ± 5 %和 ± 10 %，TCR 分别为 ± 100 ppm/K、± 150 ppm/K和 ± 300 ppm/K。电阻最大工作电压1500 V，工作温度范围 -55 °C至 +150 °C，介电强度4000 Vrms。ISOA热阻仅为0.25 K/W，+150 °C下功率耗散高于+155 °C下其他厚膜电阻。器件符合RoHS标准，采用无电感设计，可包括两个不同的电阻。

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TDK

产品：智能多层氮化铝 (AlN) 基板

获奖理由：由碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 制成的宽带隙 (WBG) 功率半导体越来越多地应用于风力涡轮机、光伏 (PV) 逆变器、电动汽车 (EV) 牵引逆变器和 EV 快速充电器等应用。虽然这些新半导体提高了这些应用的功率密度，但它们在散热方面存在困难，因为功率损耗密度也在增加，而芯片尺寸却在减小。 TDK的新型智能氮化铝 (AlN) 多层基板在功率密度、可靠性和紧凑尺寸方面突破了这些宽带隙半导体的界限。它是实现更高效的电动汽车、更轻更紧凑的 PV 逆变器或在现有占地面积内显着提高输出功率的关键。TDK为所有高功率应用开发和定制特定的 AlN 封装和基板。它是智能多层基板的解决方案提供商，将设计带入批量生产。一切都来自单一来源，在欧洲制造。按照最高行业标准进行测试、验证和批准。

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