1. EliteSiC M3S 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得设计人员能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。
2. 九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM) 赋能更小、更轻的双向快速充电平台，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。与传统的硅基 IGBT 解决方案相比，尺寸最多可减小 40%，重量最多可减轻 52%，实现在短短 15 分钟内将电动汽车电池充电至 80%，解决电动汽车普及的关键难题。优势：针对每个模块， 安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性; 采用第三代 M3S SiC MOSFET技术，提供超低的开关损耗和超高的效率；支持多电平T型中性点钳位(TNPC)、半桥和全桥等关键拓扑；支持 25 kW 至 100 kW 的可扩展输出功率段，支持多个直流快速充电和储能系统平台，包括双向充电；采用行业标准 F1 和 F2 封装，可选择预涂热界面材料 (TIM) 和压接引脚；实现最佳热管理，避免因过热导致的系统故障；全碳化硅模块最大限度地减少功率损耗，从而实现节能和降低成本；提供更高的稳健性和可靠性，从而确保持续连贯工作。