新微半导体基于自有硅基氮化镓外延片，提供的覆盖高、中和低压（40V-650V）晶圆代工产品，采用非金 GaN HEMT 工艺，具有高击穿电压以及高工作频率等卓越优势，具有栅极最小线宽0.5μm、P 型栅技术、W 栓工艺、CMP 工艺、低欧姆接触电阻和动态电阻等工艺特征。

低压(30V~40V)硅基氮化镓功率器件工艺平台
新微半导体提供低压6吋GaN HEMT晶圆代工产品，具有超低栅级漏电、超低导通电阻、更小的器件面积，覆盖消费电子、充电保护等终端应用场景。

中压(100V~150V)硅基氮化镓功率器件工艺平台
新微半导体提供中压6吋GaN HEMT晶圆代工产品，具有低栅极电荷、高开关频率和低导通电阻等特性。凭借其高频、低能耗的性能优势，产品可广泛应用于适配器、电机驱动和模块电源等工业领域。

高压(650V~700V) 硅基氮化镓功率器件工艺平台
新微半导体提供高压650V 6吋GaN HEMT晶圆代工产品，具有高击穿电压、高开关频率等卓越优势，可广泛应用于快充、数据中心、汽车电子等重要行业领域。

功率器件硅基氮化镓外延工艺平台
新微半导体自产功率外延工艺平台采用了业界广泛应用的硅基氮化镓异质外延。由于氮化镓和硅有较大的晶格失配以及热膨胀系数的差异，因此高品质的6吋硅基氮化镓外延极具挑战。新微半导体通过应力调控、有源层设计等技术，针对多种不同应用场景开发出高质量6吋硅基氮化镓外延工艺，实现了低缺陷密度的硅基氮化镓外延。
公司最新6吋硅基氮化镓外延晶圆（D/E-Mode）已满足40V/150V/650V应用，具有无龟裂、低翘曲、高均匀性、良好的表面形貌和工艺可重复性等卓越的性能特征。此外，在常温及150℃高温下，外延晶圆均具有较低的垂直漏电流。