瑞能半导体推出一系列顶部散热型表面贴装碳化硅器件，封装包括TSPAK和TOLT，产品覆盖SiC肖特基二极管与MOSFET，构成完整的产品阵容。

相较于传统底部散热型表贴功率器件，顶部散热封装为客户提供了更为灵活的热管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潜力。基于顶部散热的封装设计，可以使功率器件热量直接向散热器传递，不必经过PCB的热过孔，显著降低结到散热器热阻约17%~19%，帮助提升电路性能或减小功率器件选型降低成本。

同时，PCB设计可以采用更灵活的电流路径规划，取消热过孔或PCB散热覆铜面积后，可以获得最小的电流环路面积和极低的线路寄生感抗，使开关损耗和EMI辐射水平也降到最低，缩短产品EMC调试时间和成本。

采用顶部散热封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247等传统直插型封装，还具有基于SMD的PCB组装方式，同时避免依次安装绝缘衬套紧固螺丝，实现高效制造流程的额外优势。

瑞能提供丰富的顶部散热产品选择和组合模式，工规与车规产品均有规划。可以应用于OBC，充电桩模块，服务器电源，光伏逆变器等各种功率变换设备，帮助产品设计提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。

TOLT封装提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。
TSPAK产品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。