亿铸科技具有“四新一强”的企业优势，即：存算一体架构创新，ReRAM新型忆阻器的应用创新，全数字化技术路径应用创新，存算一体超异构系统级创新以及专业团队阵容极强。亿铸科技通过存算一体架构创新突破传统冯·诺依曼架构带来的“存储墙”“能效墙”“编译墙”等瓶颈，天然非常适合AI并行计算，因为其可落地性极强、算力发展天花板非常高，可以说是为AI计算而生的计算架构。
而对标国内外存算一体企业，亿铸科技选择的新型忆阻器RRAM具备低功耗、高计算精度、高能效比和制造兼容CMOS工艺等优势，且现在基于成熟制程，国内已有量产，是最适合存算一体AI大算力的存储器件。RRAM也已被列入大多数国内外存算一体企业的产品路线图。
同时，亿铸科技采用全数字化的技术路线做存算一体芯片，能够在整个计算过程中不受到工艺和工作环境的影响，没有精度损失，也没有数模/模数转换导致的性能低、能效比低或者晶圆面积过大等问题。
