IIC Shanghai - 2025国际集成电路展览会暨研讨会
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时间:2025年3月27-28日
地址:上海金茂君悦大酒店
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2025中国IC设计成就奖
IIC Shanghai - 2025国际集成电路展览会暨研讨会 -
时间:2025年3月27-28日
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企业奖项
产品奖项
十大中国IC 设计公司
年度创新 IC 设计公司
年度潜力 IC 设计公司
年度新锐初创IC设计公司
年度技术突破IC设计公司
更多
存储器
RF/无线 IC
功率器件/宽禁带器件
MCU
传感器/ MEMS
放大器/数据转换器/隔离器
电源管理 IC
驱动芯片/ LED 驱动 IC
FPGA/处理器
通信/网络芯片
AI 芯片
SoC/ASIC
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2025中国IC设计成就奖
企业奖项
十大中国IC 设计公司
年度创新 IC 设计公司
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功率器件/宽禁带器件
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普冉半导体(上海)股份有限公司
产品:超低电压超低功耗Flash存储芯片P25Q32SN系列
获奖理由:
1.1V 6.5uW/Mbit新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。 - 支持1.1V电源系统,为业界最低,具备宽电压范围1.05V~2.00V,可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统; - 采用业界创新工艺和领先制程的40nm SONOS工艺; - 目前行业最低功耗,1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW,80M DTR 4IO读取功率约4.2mW; - 快速读取:416Mbps (STR 4IO);640Mbps (DTR 4IO); - 同时支持SOP8、USON8、WSON8、TSSOP8、WLCSP 等多种封装形式以及 KGD for SiP; - 基于极低功耗,为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助,助力元宇宙的国产生态链完善; 出货总量(截止到2024年4月,可以是仅到量级的概数): 11KK+
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兆易创新科技集团股份有限公司
产品:GD25LF512MF SPI NOR Flash
获奖理由:
GD25LF512MF 是电压为1.8V,容量为512Mb的高可靠SPI NOR Flash,最高时钟频率STR达到166MHz,DTR达到104MHz,数据吞吐率高达104MB/s,DQS和DLP功能为高速系统设计提供了保障,以满足高效率的代码数据读取需求。GD25LF512MF具备高安全性、高可靠性的特点,支持高级密钥保护读写数据,为数据的安全性提供了有效的防护盾;内置ECC算法与CRC校验功能,提高了产品可靠性,与此同时,启动时的安全自检功能在高可靠保证的同时又提升了产品的功能安全性。 GD25LF512MF主要面向需要大容量存储、高可靠性、高安全性与高速数据吞吐量的工业、车载、计算机以及网通等相关应用领域。 1.8V 512Mb SPI NOR Flash 支持单通道、双通道、四通道SPI及四通道DTR指令集 STR 166MHz,DTR 104MHz,数据吞吐率高达104MB/s 支持DQS和DLP功能,有助于高速系统优化设计 支持先进的密码保护功能 支持ECC和CRC功能,提高产品可靠性和高速I/O信号准确性 支持安全启动自检 支持SOP16 300mil、WSON8 8x6mm、TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)等封装形式
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深圳市江波龙电子股份有限公司
产品:WM6000系列eMMC主控芯片
获奖理由:
WM6000系列为江波龙自研eMMC控制器芯片,采用28nm先进工艺,支持eMMC 5.1协议。该款主控芯片采用自研LDPC算法,支持SRAM检错,显著提高数据存储可靠性。以128GB容量产品为例,其顺序读写性能可以达到345MB/s和310MB/s以上,随机读写速度达到220MB/s和190MB/s以上,相较市场同类产品均具有明显优势,广泛应用于手机、平板、机顶盒和PC等领域。 江波龙率先在全球发布首款支持QLC的eMMC主控芯片——WM6000系列,在立项之初便以高要求作为标准,与QLC搭配恰好能发挥最佳性能,以其独特的QLC算法和自研固件,已达到可量产状态,性能和可靠性媲美TLC eMMC。QLC作为高密度、大容量、低成本的闪存介质,满足了人们对存储容量更大、成本更低的高要求。QLC闪存在带宽、读取速度、整体可靠性等核心性能方面,已经有了很大提升,且在SSD领域,QLC正在追赶TLC,部分性能指标已经基本没有差距。 WM6000系列为全球较少支持QLC的eMMC主控芯片之一,和NAND flash搭配的eMMC产品具有广泛的应用场景,如机顶盒、电视、平板、手机等。
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湖北长江万润半导体技术有限公司
产品:固态硬盘–MC7000
获奖理由:
长江万润MC7000是长江万润消费级SSD中旗舰产品,采用了国产PCIe Gen4控制器,结合优质的国产3D TLC NAND打造,为用户带来了极致的性能体验。其顺序读写速度高达7400MB/s和6600MB/s,随机读写性能更是可达930/1080K IOPS,直击PCIe 4.0性能的天花板,轻松应对办公、游戏、图形处理等高性能需求,最大容量支持4TB。
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东芯半导体股份有限公司
产品:3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4
获奖理由:
【产品规格】 电压:3.3V 温度:-40°C -- 85°C 密度:64Mb 速度(Speed):133MHz 线宽:x1, x2, x4 封装(Package):WSON6x5 【技术创新】 N此款产品工艺制程拥有更高密度的集成,在原有产品的性能基础上进行优化升级,工艺不断得到创新,拥有密度更高、功能更复杂的芯片电路设计,从而使得产品的特征尺寸不断缩小,同时产品支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式,更有多项核心技术为优化产品性能保驾护航,使其更广泛地适配于各种应用领域。 【客户服务】 东芯半导体建立了优秀的客户服务团队,并制定了客户技术支持的服务规范、客户投诉的处理流程、不合格产品的管控程序、产品失效分析程序等一系列制度规则,旨在高效率、高质量地应对不同客户的服务需求。公司将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节,在内部形成一个良好的处理闭环,持续提升品质管控体系,推动公司产品不断精益求精。 同时在为客户进行定制化的设计过程中,公司不断了解市场对产品功能需求,接收客户对终端产品的反馈,反复验证和打磨已有的技术,建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环,进一步增强技术能力。可根据客户的特定需求提供存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案,帮助客户降低产品开发时间和成本,提高了产品开发效率。 【应用案例】 目前普遍应用于可穿戴设备(如 TWS 耳机、智能手环、智能手表)、移动终端等领域。 车规级NOR Flash的需求也在迅速增长,推动车载产品完成AEC-Q100标准测试认证,因此,进入汽车电子市场将成为NOR Flash厂商的重要发展方向,东芯半导体的NOR Flash也已有产品通过AEC-Q100测试,将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。
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深圳云创同芯半导体股份有限公司
产品:DDR5 模组–YSD532GSO5600-46DAA
获奖理由:
深圳云创同芯半导体股份有限公司(以下简称"云创同芯")是一家集半导体芯片设计、研发、制造、产品销售、品牌运营为一体,致力于各类存储芯片、感应芯片、控制器及周边产品的设计研发,具有完全自主知识产权Fabless模式的集成电路(IC)设计公司。云创同芯的产品包含DRAM模组、SSD、DRAM IC、eMMC等。 云创同芯产品广泛应用于服务器、个人电脑及周边、网络、电信设备、办公设备、物联网、车联网、工业互联网、移动智能终端等信息技术领域。 云创同芯与多家世界知名晶圆厂、封装测试厂结成战略合作伙伴关系,确保产品的产能和质量,最大限度维护客户的利益,自主可控,为客户创造价值就是我们的价值。 YSD532GSO5600-46DAA DDR5模组 32GB 5600MHz,支持INTEL&AMD&龙芯&兆芯平台。适用领域包含:服务器、PC、5G应用、边缘计算、工业控制系统等,具有更高的数据传输速率和带宽,在大数据分析、人工智能和高性能计算等场景的应用尤为广泛。
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得一微电子股份有限公司
产品:高速满带宽UFS3.1嵌入式存储控制芯片–YS8803
获奖理由:
UFS 3.1是通用闪存储方案(Universal Flash Storage)的一种,以更快读写速度、更低功耗和更高可靠性,超越了eMMC和其他嵌入式存储解决方案。 得一微电子推出的YS8803是中国大陆首款面向公开市场的UFS3.1存储主控,得一微电子也成为中国境内第1,全球第3家独立的UFS3.1主控芯片供应商。 UFS3.1 YS8803主控采用先进工艺,支持MIPI M-PHY 4.1和UniPro v1.8标准,支持高达2150MB/s和2000MB/s的顺序读写性能,完美契合智能手机、平板电脑等移动设备对高速、大容量存储的需求,为其提供高性能低功耗的存储解决方案。另外在数据可靠性方面,YS8803采用端到端数据保护、自研4K LDPC纠错算法等技术,极大保障了用户数据可靠性。同时其低功耗架构设计,确保了高性能与低能耗的完美结合。 YS8803主控芯片的推出,不仅填补了中国在该存储主控领域的技术空白,更展现出了巨大的市场潜力,为AI 手机、平板电脑、车载系统等这些终端设备带来基于国产自研的更高性能、更先进的UFS存储解决方案,精准对接并满足这些高端客户对于高性能、高可靠性的嵌入式存储解决方案要求,有效推动整个终端市场的升级换代。
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深圳佰维存储科技股份有限公司
产品:ePOP4x存储芯片
获奖理由:
佰维ePOP4x存储芯片项目基于解决智能手表等智能穿戴市场对存储芯片小型化、超薄化、低功耗的迫切需求而开展,项目在芯片的小体积、低功耗和高性能三者集于一体上做了全方面的设计和开发,在全球存储芯片厂家同类产品中设计技术和封测能力处于领先水平;产品问世后广泛应用于全球各大智能穿戴产品上,助力智能穿戴设备不断向多功能集成、持久续航、使用体验流畅等方向发展与升级。 佰维ePOP4x存储芯片集成了eMMC与LPDDR4X,在面积仅为89平方毫米上完成0.65mm厚度并解决了超薄芯片高温易翘曲的问题,保证器件长周期使用的可靠性;在读速高达300MB/s的性能下可将功耗控制在500mW之内,极低的功耗,使设备在多线程、高负载、长时间工作的场景中减少发热。 产品技术特点及先进性: ①实现了体积+性能+功耗的平衡:在超小尺寸、超薄厚度下实现高性能存储和低功耗运行,解决了智能穿戴市场对功耗、尺寸和性能三者平衡的急切需求。 ②全球TOP级客户指定产品:佰维ePOP系列产品进入了诸如Google、Meta、小米、小天才、闪极科技等全球知名企业供应链体系。 ③先进的设计理念:对产品进行了超薄、超小、低功耗设计和调优。 产品创新性: 全球首款超薄存储芯片:在全球存储芯片标准化极强的情况下,佰维针对穿戴市场痛点推出了业内最薄ePOP产品,助力智能穿戴轻薄化小型化。 产品应用情况: 产品自发布以来,广泛的应用于智能手表、智能眼镜等穿戴市场,因其小巧的尺寸和超薄的厚度,使得终端设备更轻薄小巧容易佩戴,并严格进行了耗材安全认证和生产体系认证、以及高通专用平台的认证肯定,获得了极高的用户体验评价。
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北京君正(Ingenic) - 北京矽成半导体有限公司
产品:32Mbit SPI Nor Flash存储器–IS25WJ032F
获奖理由:
IS25WJ032F, 该产品是基于50nm ETOX工艺的32Mbit SPI NOR FLASH(非易失性闪存存储器)芯片,宽电压支持1.65V到2.0V, 支持单通道、双通道、四通道SPI接口,数据吞吐量高达532Mb/s,写入/擦除次数达10万次,广泛适用于对读取性能、寿命和可靠性有严格要求的应用场景。目前该产品已持续稳定大批量出货,市场反馈良好,在数据中心,车载摄像头, 尤其是NVIDIA最新款显卡等领域都有不俗的表现。 IS25WJ032F系列支持双传输速率,可在时钟的两边传输地址和读取数据, 时钟频率可达133Mhz, 满足XIP在内的先进功能需求,加速设备系统启动和响应。该产品支持4KB小扇区擦写,为代码,数据和参数的存储应用提供了更大的灵活性,提升了效率。 在封装方面, IS25WJ032F系列可提供SOP8 150mil、SOP8 208mil、USON 2x3m、USON 4x3mm等多种封装规格,同时产品pin-to-pin兼容同封装大容量的Nor Flash,可以在不更改现有硬件设计的基础上增加存储容量,满足更大代码存储空间需求。 此外,此产品可支持唯一ID, 安全的OTP 等多种安全功能, 为设备身份验证和OTA更新等操作提供了安全保障,确保高安全性。 IS25WJ032F以其高性能、高可靠性和高安全性,成为了数据中心,车载存储等解决方案的理想选择。
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江苏芯盛智能科技有限公司
产品:SATA SSD存储主控芯片–XT6160
获奖理由:
XT6160存储主控芯片是芯盛智能携手中芯国际,推出业界首款支持端侧AI推理应用的SATA III(6Gb/s)企业级SSD主控芯片,该芯片具备以下特点与优势: 1.自主研发,国内生产:芯片基于中芯国际成熟的28纳米HKC+制程工艺,在性能与成本之间取得了极佳的平衡。芯片所有IP国产自主可控,核心IP为芯盛智能自主研发,自研比例超过60%,其他IP均来自国产IP提供商,从而实现了从IP自研、合作(联合国产IP提供商),到芯片设计,晶圆制造,封装和测试的全流程自主可控 2.RISC-V架构,独立AI核:芯片是芯盛智能基于RISC-V架构推出的国内首款带有独立AI核的SATA III (6Gb/s)主控,采用独立AI核架构与开放能力,不仅有助于提升SSD各项规格指标,也为计算型存储的产业应用提供了各种可能,如基于ML/AI处理的无损数据压缩优化可提升压缩命中率、降低时延等 3.卓越性能,宽温设计:芯片基于8通道32CE闪存接口设计,采用自研NFC Acc和Bufman硬件加速功能,128KB顺序读/写性能高达565/530 MB/s ,4KB稳态随机读/写性能最大98K/60K IOPS,优于业界同类产品;考虑不同应用场景的复杂环境,XT6160的工作温度设计目标确定为-40℃到125℃,通过芯片设计与产线工艺的协同优化,研究并应用包括自适应电压调节(AVS)技术在内的工艺手段,降低芯片功耗,提升产品在85℃、105℃、甚至125℃超高温环境下运行的寿命和可靠性。 4.绿色节能,一芯多用:芯片采用时钟门控、多电压域等低功耗设计,运行态功耗不超过1.5W(DRAM缓存模式)或0.8W(无DRAM缓存模式),同时集成E2E数据保护、ECC/LDPC/RAID数据纠错、PLP掉电保护等数据可靠性保障技术,在保证低功耗前提下,有效提升了数据纠错和掉电保护能力 5.全生命周期的数据安全防护:芯片根据国家密码管理局安全芯片二级标准规范设计,具备逻辑与物理安全主动保护措施,有效抵御物理剖片、探针、反向工程等破解手段,保护芯片自身物理安全;在芯片启动与运行过程中,通过验签方式加载并运行合法可信的固件,防止固件非法篡改,保障芯片使用安全。芯片集成国产商用密码算法SM2/SM3/SM4与国际密码算法AES256硬件加速引擎,对用户数据提供全生命周期的加解密安全防护,并且几乎不影响SSD的性能,有效保障了数据与信息的存储安全
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