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PCIM Asia大C位，英飞凌秀功率半导体“硬实力”

时间：2024-08-29 来源：

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英飞凌PrimePACK™ 3+ 2300 V, 1800 A双IGBT模块，搭载TRENCHSTOP™ IGBT7、带有发射极控制的第七代(EC7)二极管和热敏电阻（NTC），也可以提供预涂热界面材料（TIM）的版本。采用PrimePACK™3+封装，可实现高功率密度的NPC2拓扑结构（1.6 MVA，风冷），比采用IGBT4的NPC1拓扑结构高37%。

英飞凌PrimePACK™ 3+ 2300 V, 1800 A双IGBT模块，搭载TRENCHSTOP™ IGBT7、带有发射极控制的第七代(EC7)二极管和热敏电阻（NTC），也可以提供预涂热界面材料（TIM）的版本。采用PrimePACK™3+封装，可实现高功率密度的NPC2拓扑结构（1.6 MVA，风冷），比采用IGBT4的NPC1拓扑结构高37%。

上一图集：走访上海慕展近20家半导体厂商，发掘业内的新鲜事

这是最后一个

功率电子分立器件电源管理汽车电子新能源模块模组业界新闻

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