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PCIM Asia大C位，英飞凌秀功率半导体“硬实力”

时间：2024-08-29 来源：

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CoolSiC™ MOSFET G2，采用英飞凌新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，进一步提高了功率系统和能量转换的效率。CoolSiC™ MOSFET 650和1200V Generation 2技术在确保质量和可靠性的同时，将主要性能指标（如能量损耗和存储电荷）优化了20%。结合英飞凌的.XT封装技术，芯片的瞬态热阻降低了25%以上，使用寿命延长了80%，从而进一步提升了CoolSiC™ G2的设计潜力。

CoolSiC™ MOSFET G2，采用英飞凌新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，进一步提高了功率系统和能量转换的效率。CoolSiC™ MOSFET 650和1200V Generation 2技术在确保质量和可靠性的同时，将主要性能指标（如能量损耗和存储电荷）优化了20%。结合英飞凌的.XT封装技术，芯片的瞬态热阻降低了25%以上，使用寿命延长了80%，从而进一步提升了CoolSiC™ G2的设计潜力。

上一图集：走访上海慕展近20家半导体厂商，发掘业内的新鲜事

这是最后一个

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