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PCIM Asia大C位，英飞凌秀功率半导体“硬实力”

时间：2024-08-29 来源：

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英飞凌3300V CoolSiC™ MOSFET XHP™ 2 高效功率模块。这些器件专为牵引等要求苛刻的应用而设计，XHP 2 封装中带有集成体二极管的 CoolSiC MOSFET 芯片能够实现低开关损耗，同时保持高可靠性和功率密度。XHP 2 封装还具备低杂散电感、对称且可扩展的设计以及大电流等特性。与传统解决方案相比，英飞凌的 CoolSiC 功率模块可使列车电机和变频器的总能耗降低 10%。

英飞凌3300V CoolSiC™ MOSFET XHP™ 2 高效功率模块。这些器件专为牵引等要求苛刻的应用而设计，XHP 2 封装中带有集成体二极管的 CoolSiC MOSFET 芯片能够实现低开关损耗，同时保持高可靠性和功率密度。XHP 2 封装还具备低杂散电感、对称且可扩展的设计以及大电流等特性。与传统解决方案相比，英飞凌的 CoolSiC 功率模块可使列车电机和变频器的总能耗降低 10%。

上一图集：走访上海慕展近20家半导体厂商，发掘业内的新鲜事

这是最后一个

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