佳能宣布将一款采用纳米压印光刻（NIL）技术的半导体制造设备推向市场，型号为FPA-1200NZ2C。该设备的NIL 技术可实现最小线宽 14 nm 的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5 nm节点。 ...

在HBM4上，三星电子、SK海力士、美光科技也展开了新的争夺赛。在AI这一主需求推动下，未来三星电子、SK海力士和美光三大存储巨头将成为彼此最大的竞争对手，而HBM4也将成为其在高算力赛道上下一个竞争点。 ...

当前兆易创新的存储产品线可以支持27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格、29种封装方式。 ...

据三星电子10月11日披露的初步核实数据，按合并财务报表口径计算的公司今年第三季度营业利润为2.4万亿韩元（约合人民币130.5亿元），同比减少77.9%，但环比大增258.2%，超乎预期。 ...

在行业分析机构 TechInsights 进一步芯片级地拆解 iPhone 15 Pro 之后，又发现一大亮点——内部使用了美光最新超高密度 D1β（D1b）LPDDR5 16 Gb DRAM 芯片，这是业内首次涉足 D1β。 ...

今年存储器市场行情萎靡，虽然国内智能手机在近几个月销量在同比和环比维度有小幅增长，但仍不足以扭转整体市场的情况。不过，从半导体趋势来看，当下的2023年正处于日出破晓的关键节点…… ...

CUBE增强了前端3D结构的性能，例如chip-on-wafer（CoW）和wafer-on-wafer（WoW），以及后端2.5D/3D chip-on-Si-interposer的基板和扇出（Fan out）解决方案。CUBE专为满足边缘AI运算装置不断增长的需求而设计…… ...

9月21日-22日，GMIF2023全球存储器行业创新论坛在深圳隆重召开，本次论坛以“探索·前行 共生·创赢”为主题，GMIF2023共设立两大论坛，汇聚存储产业链顶尖企业及行业大咖，共同探讨行业创新、技术演进、协同发展等热点话题…… ...

今年6月Omdia发布数据显示，半导体行业低迷的情况似乎依然未能缓解。然而日前事情似乎出现转机，根据最新半导体行业竞争格局追踪报告显示，在连续五个季度收入下降后，半导体行业在第二季度扭转了局面，收入增加。 ...

近日，有外媒消息称三星电子已经进入了英伟达加速卡的供应链，最快将从10月开始向英伟达供应HBM3内存。在此之前，三星已确定向AMD供应HBM3，明年三星的HBM市占率有可能将超过50%。 ...

TrendForce集邦咨询表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13.0%及16.0%。 ...

中科院微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与中国科学院物理所杜世萱研究员团队合作，发现了一种稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构，这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。 ...

8月23日，中国电子、嵌入式及半导体先进封测行业风向标——elexcon2023深圳国际电子展隆重开幕。作为本次深圳电子展的重磅活动之一，国产存储新锐企业康盈半导体再次焕新而来，以“燃青春，随芯存”为主题，发布2023 C端存储新产品，拉开了C端新攻势的序幕。康盈半导体在行业见底复苏和回温中“抢鲜”开跑，也传递出国产存储企业对未来市场的信心。 ...

科创板上市只是万里长征的第一步。合肥康芯威分别于2022年3月、2023年8月完成了两轮融资，公司即将进入上市辅导阶段。在后续的业务发展过程中，合肥康芯威将逐步从芯片设计企业成长为多元化的存储方案提供商，为国家存储产业的发展贡献力量。 ...

三星计划于2024年量产超过300层的第9代3D NAND。预计将采用双堆叠技术生产，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。据悉，三星内部已准备好技术路线图，表明其第10代3D NAND将采用三重堆叠工艺。 ...

由于Meta近期再次下调下半年需求，以及中国上半年相关项目招标推迟，加上全球性通胀压力与云端服务业者（CSPs）聚焦于AI领域投资，导致预算排挤效应，影响传统服务器整机出货表现。TrendForce集邦咨询基于上述影响因素考量，将2023年整体服务器整机出货量下修至同比减少5.94%，后续恐仍有变量。  ...

功耗是一个真正的问题，功率密度也是如此。为了解决新出现的任务和用例，需要建立更大、更密集的人工智能平台。在许多情况下，以所需速率和馈电要求实现电连接时，需要组件彼此靠得很近，这将导致功率密度问题，进而限制了人们在集群中添加更多人工智能组件和进一步扩展的能力。 ...

在8月8日至10日在圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，SK 海力士展示了其321层1Tb TLC 4D NAND Flash样品，并透露了开发进展。他们表示，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。 ...

美光CZ120内存扩展模块拥有128GB和256GB两种容量，使用Compute Express Link™ (CXL™)标准，并完全支持CXL 2.0 Type 3标准，将使众多工作负载从中受益，例如AI训练和推理模型、软件即服务（SaaS）应用、内存数据库、高性能计算，以及能在本地或云端管理程序上运行的通用计算工作负载等。 ...

半导体市场一直受到需求不足的困扰，这种情况已持续多个季度，进而导致许多组件的平均销售价格 (ASP) 下降。然而，由于生成式人工智能，半导体市场仍有需求。 ...

CFM闪存市场认为，三星下半年的市场策略重点将是保利润。为此，三星将通过提升HBM、DDR5、LPDDR5X、UFS4.0和PCIe 5.0 SSD等高价值产品份额来实现，同时增加先进制程产品产能。 ...

HBM各世代差异，主要以速度做细分。除了市场已知的HBM2e外，在进入HBM3世代时，产业出现较为混乱的名称。 ...

本文借着东芯半导体的LPDDR系列产品布局，谈谈LPDDR技术的历史及市场现状... ...

7月26日晚间，中国国家市场监管总局公告显示，附加限制性条件批准美国迈凌科技（MaxLinear）收购慧荣科技股权。然而半天不到事情就出现了反转，7月27日早间，MaxLinear宣布终止对慧荣科技的收购，称因慧荣方原因而终止合并协议。 ...

美光宣布出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3，带宽超过1.2TB/s，先进的1β制程节点提供卓越能效。 ...