最近几年，在中国5G相关政策的支持下，国内各大企业纷纷加大对5G 通信技术的科研投入和技术攻关，尝试研制自主可控的5G射频芯片。作为移动信息现代产业链“链长”，中国移动在2021年就成立芯片研发企业联合实验室，开展“破风8676”可重构5G射频收发芯片研发，贯穿芯片规格定义、前后端设计、仿真验证、性能调测和整机集成全流程。 ...

预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）和11mJ（典型值），与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%。 ...

尽管当前缺芯危机基本上已经结束，特别是汽车芯片的供给大为改善，但在地缘政治风险可能加剧的大背景下，未来仍然存在巨大的不确定性。市场研究机构S&P Global Mobility警告称，由于电动汽车需要更多且性能要求更高的芯片，几种关键类型的汽车芯片仍然处于供不应求的状态。 ...

8月19日，小米CEO雷军突然在微博上晒照，IP显示的位置在新疆。有人可能会疑惑，雷总和卢总这是去新疆旅行了吗？随后有小红书博主声称在新疆维吾尔自治区的乌鲁木齐 - 昌吉快速路上，拍到四辆小米汽车的测试车…… ...

由于开关频率和电抗元件的存在，降压变换器电路产生了大量的电噪声和干扰。一些自激会发生在比电子开关频率高得多的频率上。因此，为了获得最佳且纯净的输出电压，设计师不仅要研究理论和实践，而且还必须采用高性能的滤波器，以实现优秀的设计，从而将这些电子噪声降至最低。 ...

到2025年，全球碳化硅器件市场规模有望达74.3亿美元。2025年前，供需将持续趋紧，也是是国内本土化碳化硅市场发展的高速期。 ...

虽说市场仍处在下行期，但在前不久慕展的TDK展位上，我们和现场工作人员聊了聊，看到了一些新的市场热点…… ...

位于上海湾区高新区，厂房面积达到11,000平方米的瑞能金山模块厂于2022年8月投入建设，在2023年4月完成质量和消防竣工验收。瑞能投资约2亿元全资控股的金山模块厂，引入了超过百台业界最先进的功率模块生产及测试设备，能够满足市场主流的各类型模块产品需求。 ...

生成式人工智能（AIGC）的火爆，带来了对算力的巨大需求，目前获取算力的方式主要是将芯片本身算力做上去，或把多颗芯片/板卡组成算力集群。而无论哪种方式，都需要用到高速互联总线技术，所以也对测试提出了更高的要求…… ...

过去近三年，华虹半导体产能利用率持续饱满。招股书数据显示，过去两年，华虹公司的产能利用率均在107%以上。因此，通过本次IPO，华虹半导体将突破企业发展的制约瓶颈，进一步扩大生产规模，提高市场竞争地位。 ...

瑞萨在今年的慕展上，展示的主要是汽车业务相关产品。我们也和瑞萨的几名汽车业务相关负责人聊了聊汽车市场的发展现状。汽车电子的主要机会点在这些地方... ...

目前还没有哪家本土企业，敢说已经从汽车电子市场上赚到了钱，这是因为半导体产品的盈利关键是量。所有的研发费用、制造投入最后要靠芯片出货量平摊，尤其是芯片往新工艺节点演进时，一次投片往往需要上千万美元，甚至上亿美元。那为什么我们还要做车规芯片？ ...

尽管导致“突然加速”的现象不一定是逆变器设计的问题，但我们保持对生命安全的敬畏，去不断探寻真正导致问题出现的原因，也具有重要意义。回到单踏板模式，这可能是一个非常聪明的设计，也可能是最致命的设计。不过，我们是否能以人身安全作为汽车创新的第一要义，去不断提升驾驶体验，同时可以给一个不配置单踏板的选择？ ...

怎样为客户服务好，为他们提供价值，这是永远不会错的，无论是美国公司、欧洲公司，或者其他跨国公司，包括中国公司都一样，这一点我们认识很清楚，在深入本土化战略的同时，合作共赢，不断发展，这是我们的目标。 ...

SiC 电源开关和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是可再生能源系统等高功率应用的常用电源开关。SiC 电源开关与 IGBT 等传统硅电源开关相比，在高功率可再生能源应用中具有诸多性能优势。 ...

特别是在自美国出台芯片扶持政策以及《通胀削减法案》之后，其将在全球范围内把产业链转移至美国本土的野心已路人皆知。在这样的背景下，全球各国和地区通过这样的相互合作，在通过利益绑定来保障各自利益的同时，也在一定程度上相互钳制，特别是防止“一家独大”，以在未来经济互动中拥有相对平等的地位。 ...

自2018年-2023年间的快速市场演变，使得SiC需求得到大幅增长，其增长背后有不同的因素驱动。不过根据Yole 集团旗下 Yole Intelligence数据，碳化硅即将迎来重大转折点，由于大量的投资和并购活动，功率 碳化硅 和 氮化镓生态系统正在经历重大转型。 ...

比碳化硅器件，氮化镓功率器件在同时对效率、频率、体积等综合方面有要求的场景中，将更有优势，比如氮化镓基器件已成功规模应用于快充领域。随着下游新应用规模爆发，以及氮化镓衬底制备技术不断取得突破，GaN器件有望持续放量，将成为降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。 ...

2020年12月，Hassane El-Khoury正式被任命为安森美总裁兼首席执行官，在新冠疫情大环境下的两年临危受命，他认为给安森美带来的最大改变是“业务专注度”——“我和团队在过去的两年半的时间中的工作重点就是‘有所为、有所不为’，把业务集中在最优势的领域，做到世界一流。每个业务都做，但都做得很平庸，这样成就不了一个伟大的企业，我们希望实现更专注的战略转型。” ...

双方将合作研发先进功率半导体技术，推动航空业向混动和纯电动系统转型。合作研发的半导体器件将助力未来的混动直升机、飞机、以及空客的ZEROe（零排放飞机计划）和CityAirbus NextGen（下一代城市空中客车）中发挥重要作用。 ...

6月29日，华虹半导体在港交所发布公告，本公司、国家集成电路业基金II（以下简称“大基金二期”）、国泰君安及海通证券于2023年6月28日订立大基金二期认购协议。 ...

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%，使其适合线性模式工作。而且降低导通电阻和扩大安全工作区的线性工作范围可以减少并联连接的数量。 ...

沈阳一名17岁女孩在充电时使用苹果iPhone时发生了电击事故，造成女孩全身多处电伤，严重影响内脏功能，甚至还面临着局部截肢的状况。附赠充电器的手机销售方表示，他们只能赔偿一个充电头，而苹果公司应该承担赔偿责任。为什么近年来充电时使用手机导致触电伤亡事件不断发生？根本原因在于劣质山寨充电器为了降低成本，缺乏基本的安全设计…… ...

“2023第三代半导体前沿趋势研讨会”上，龚瑞骄表示，2022年-2026年SiC功率半导体市场将迎来35%的复合平均增长率（CAGR），2022年市场规模将达到22.75亿美元，至2026年可望达到53.28亿美元。对比GaN，2022年-2026年的复合平均增长率为65%，不过2023 GaN功率半导体的市场规模仅有3.08亿美元，至2026年达到13.32亿美元。 ...

QPB3810 和 QPB9362 包含在面向 5G mMIMO 应用的完整 RF 前端参考设计中，现可从 Qorvo 处获得。这一小尺寸参考设计提供了从基带前端到天线滤波器的发射/接收 RF 解决方案。发射器产品阵容包含 QPA9122M 宽带高线性度预驱动器、QPB3810、一个用于 DPD 监测的定向耦合器，和一个环行器；接收路径包括 QPB9362。 ...