从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等，都做了详细的解释与说明，还配了相关的图片。绝对能让你彻底理解MOS管，不可多得的学习资料，赶快收藏！ ...

SiC的性能潜力无可争议。目前要应对的主要挑战是确定哪种设计方法在应用中获得最大的成功。CoolSiC MOSFET在开关操作和损耗方面拥有出色性能。其中一个亮点是能够利用零栅偏压关断器件，这使得碳化硅晶体管设计概念成为目前唯一真正的“正常关断”器件。 ...

从英特尔首发22nm FinFET工艺之后，全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用FinFET鳍式晶体管，一直用到现在的7nm，未来5nm、4nm也会用FinFET。但是进入3nm节点需要新型晶体管，三星已经宣布改用GAA环绕栅极晶体管，中国科学家日前在这一领域也有突破…… ...

半导体材料目前经历了三个发展阶段，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代开始由2种以上元素组成化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟 (InP)；以及第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料。由于宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻以及更小的器件物理尺寸，传统巨头近年纷纷加码该领域，而有的公司却在20年前就开始布局…… ...

从电子科技大学获悉，九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授、“中国功率器件领路人”陈星弼因病医治无效，于12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结（Super Junction）发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”…… ...

智能高低边开关是一种保护电子电路免受电击穿破坏（异常时的过电流）的元器件。与以往保护用的保险丝不同，它能利用半导体技术，内置保护电路和能量吸收电路，及时出现异常的电能（异常时的过电流）也不会损坏。可在不损坏或劣化的前提下保护电路，因此也被称为半导体保险丝，非常有助于构建免维护的系统…… ...

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电动交通会改变能源和自动化市场，为智慧城市的重大投资做出贡献。电池市场会让电动车的使用更加便利，且提供的智能充电服务将降低其成本。数字化将有助于简化程序，改善客户体验，支持高效的基础架构管理，且能实现共享交通等新服务。充电站也将获得授权，使之成为智慧城市服务的枢纽。 ...

功率器件是碳化硅、砷化镓、氮化硅等半导体材料经过沉积、清除、布线以及电学属性的调整等工艺后，制成具有处理高电压、大电流能力的半导体器件，它几乎适用于所有的电子制造业。目前，功率器件的应用逐渐从传统的工业控制、3C行业转向新能源、轨道交通、智能电网等新兴行业，其中新能源汽车电子是主要需求方。 ...

近日，有消息称华为为了应对美国实体清单的采购禁令，已经自研PA芯片成功，将交给中国大陆企业三安光电代工，明年Q1季度小幅量产。受华为自研PA转单消息影响，台企稳懋股价昨日（29日）应声下跌5%。 ...

近日，工信部在政协十三届全国委员会第二次会议第2282号（公交邮电类256号）提案的答复函中提到，将推动我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模组产业发展。IGBT是BJT和MOSFET组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其自关断的特征在诸多领域具备不可替代的作用，本文主要介绍国内外IGBT现状。 ...

据供应链最新消息表示，华为已经研发PA芯片，将交给国内公司代工，明年Q1季度小幅量产。PA芯片指的是功率放大器（Power Amplifier），射频前端发射通路的主要器件，手机里面 PA 的数量随着 2G、3G、4G、5G 逐渐增加，基站方面也是一样…… ...

泛在电力物联网作为新兴的电网自动化系统，正逐步助力实现传统电网向能源互联网的升级。“在此过程中，业界需要不断地寻找并应用新方法、新技术来支撑泛在电力物联网配电系统的安全、可靠、优质、高效运行，如何将物联网技术通过ADI芯片与整个配电系统结合起来，是我们一直在致力解决的问题。”在近日举办的第十届配电技术应用论坛上，高性能模拟技术提供商ADI亚德诺半导体产品经理张松刚这样表示。 ...

“我们超过50%的市场在亚洲，而中国就占了30%，因为这里有着全球最大的5G、无线物联网和新能源市场。” 睿查森电子(Richardson RFPD)全球总裁兼总经理Rafael Salmi博士，在接受《电子工程专辑》采访时提及，“而我们正是这三个领域最大的技术分销商，排在第二的公司规模比我们小六倍。” ...

与传统硅工艺相比，WBG半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），可实现更优的导热性、更高的开关速率而且更小尺寸的物理器件。也因此，WBG半导体材料推动了新一代电源的出现。 ...

作为一个长久以来依靠煤炭和石油的国家，我们目前的能源系统和电源问题很多，而且远不止“松鼠啮噬电缆”这种问题。简而言之，目前产生能量的方法低效，而且对环境产生破坏。要解决这个问题，更新电网并采用智能技术极为重要…… ...

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。 ...

法国Soitec半导体公司于9月16日和17日出席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会，探讨SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速发展。本届由SOI国际产业联盟举办的峰会聚集了众多来自世界领先的半导体公司、研究机构、投资机构和政府部门的行业专家。 ...

国产氮化镓（GaN）正迎来一波新的热潮，已有多家企业布局相关产业。近日，聚力成半导体（重庆）有限公司工厂和北京耐威科技股份有限公司，相继宣布其GaN外延材料正式投产。 ...

近期华为旗下哈勃投资（2019年4月成立）入股10%第三代半导体材料碳化硅（SiC）的制造商山东天岳。在美国对中国高科技企业不断施压的形势下，华为此举或许表明对第三代半导体材料SiC潜在的需求以及前景的认可。 ...

在电流流经MOSFET体二极管的应用中，反向恢复电荷Qrr会引起一些重大的挑战，设计工程师需要仔细处理。在低功耗充电器和适配器产品应用中，其开关频率高且负载电流一般小于5A，对I2R损耗的关注较少，设计工程师应密切关注动态损耗。选择低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI辐射。 ...

在时间就是生命的年代，充电速度比不上用电速度，就是谋财害命。如果你曾经用过iPhone，一定被它“五福一安”（额定输出功率5V1A）的充电器深深伤害过，第三方厂商都开始推60W快充了，iPhone才刚刚传出要配18W充电器的传闻。为什么第三方厂商可以在把尺寸做小的同时，又能兼顾充电效率？因为他们更愿意尝试氮化镓（GaN）这样的新兴功率器件…… ...

8月15日，由全球最大电子科技媒体集团ASPENCORE旗下《电子工程专辑》、《电子技术设计》和《国际电子商情》主办的2019“智”动化和工业4.0论坛在成都举行，来自意法半导体、Silicon Labs、Winbond等十家领先企业的技术专家与智能制造和工业自动化领域的专业人士进行了面对面的互动交流。 ...

宽带隙（WBG）半导体正被应用于包括电动汽车在内的各类功率转换器中。其承诺的更高效率和更快转换速率将节省成本、尺寸和能源，它通常被运用在充电器和辅助转换器中，但尚未在牵引逆变器中大量取代IGBT。本文将介绍最新一代SiC FET，因其提供低于IGBT的损耗以及在高温和多重应力下被证实的短路鲁棒性，而成为新型逆变器设计的绝佳选择。 ...

在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中，超级电容器（supercapacitor）引起了设计团队的关注。这些超级电容器电池具有高效存储能力，可根据需要快速释放能量。为确保峰值性能和较长的产品生命周期，超级电容器的电压必须得到平衡。因为每个超级电容器都有电容、内阻和漏电流方面的容差。这可能会导致电池电压不平衡。必须对超级电容器进行平衡，以确保电压不超过超级电容器的最大额定电压。本文将告诉我们MOSFET降低超级电容器的工作偏压，平衡电路的功率消耗，并可以自动调整温度，时间和环境的变化。 ...